[发明专利]一种沟槽结构结势垒肖特基二极管在审
| 申请号： | 201910459140.8 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110212022A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 张玉明;宋庆文;汤晓燕;袁昊;张艺蒙;范鑫;何晓宁 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽结构 结势垒肖特基二极管 外延层 相邻沟槽 减小 反向漏电流 隔离介质层 上表面中心 阳极电极层 阴极电极层 导通电阻 衬底层 上表面 正向 保证 | ||
1.一种沟槽结构结势垒肖特基二极管，其特征在于，自上而下依次包括阳极电极层(1)、隔离介质层(2)、N-外延层(3)、N+衬底层(4)和阴极电极层(5)，其中，
在所述N-外延层(3)的上表面开设有多个沟槽结构(6)，在所述沟槽结构的内部形成有P型离子注入区(7)；
相邻所述沟槽结构(6)的间距从所述N-外延层(3)的上表面中心至边缘呈减小趋势，且多个所述P型离子注入区(7)的形状尺寸均相同。
2.根据权利要求1所述的沟槽结构结势垒肖特基二极管，其特征在于，多个所述沟槽结构(6)均为同心的环形结构。
3.根据权利要求1所述的沟槽结构结势垒肖特基二极管，其特征在于，多个所述沟槽结构(6)均为矩形，并且在所述N-外延层(3)的上表面分布成阵列结构。
4.根据权利要求1所述的沟槽结构结势垒肖特基二极管，其特征在于，相邻所述沟槽结构(6)的间距从所述N-外延层(3)的上表面中心至边缘以连续方式减小。
5.根据权利要求1所述的沟槽结构结势垒肖特基二极管，其特征在于，相邻所述沟槽结构(6)的间距从所述N-外延层(3)的上表面中心至边缘以阶梯方式减小。
6.根据权利要求1所述的沟槽结构结势垒肖特基二极管，其特征在于，
所述N-外延层(3)与所述阳极电极层(1)之间形成第一肖特基接触区(8)，每个所述P型离子注入区(7)与所述阳极电极层(1)之间形成第二肖特基接触区(9)。
7.根据权利要求1所述的沟槽结构结势垒肖特基二极管，其特征在于，在所述沟槽结构(6)的底部和内壁上均形成有所述P型离子注入区(7)。
8.根据权利要求1所述的沟槽结构结势垒肖特基二极管，其特征在于，
所述多个沟槽结构(6)的槽深均相同。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的沟槽结构结势垒肖特基二极管，其特征在于，相邻所述沟槽结构(6)的间距大于等于3μm。
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