[发明专利]电阻型存储器器件

说明书

提供了一种电阻型存储器器件，包括：在第一方向上延伸的第一导线；在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二导线；以及连接第一导线和第二导线的存储器单元，其中，存储器单元包括：第一存储器单元，包括第一电阻型存储层和第一加热电极层，第一加热电极层包括与第一电阻型存储器层接触的第一接触表面，并且第一接触表面具有第一接触电阻；以及第二存储器单元，包括第二电阻型存储器层和第二加热电极层，第二加热电极层包括与第二电阻型存储器层接触的第二接触表面，并且第二接触表面具有与第一接触不同的第二接触电阻。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年8月23日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0098761的优先权，该申请的公开内容通过全文引用合并于此。

技术领域

本发明构思涉及一种存储器器件，更具体地，涉及一种具有交叉点阵列的电阻型存储器器件。

背景技术

电阻型存储器器件是一种具有三维交叉点堆叠结构的非易失性存储器器件，其中存储器单元布置在彼此交叉的两个电极之间的交叉处。电压降(也称为“IR降”)可以发生在电阻型存储器器件的存储器单元阵列的电流流动路径中。随着电阻型存储器器件的速度和容量持续增加，电阻型存储器器件的可靠性可能因IR降而降低。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种电阻型存储器器件，包括：多个第一导线，在第一方向上延伸；多个第二导线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及多个存储器单元，连接到所述多个第一导线和所述多个第二导线，其中，所述多个存储器单元包括：第一存储器单元，包括第一电阻型存储器层和第一加热电极层，所述第一加热电极层包括与所述第一电阻型存储器层接触的第一接触表面，并且所述第一接触表面具有第一接触电阻；以及第二存储器单元，包括第二电阻型存储器层和第二加热电极层，所述第二加热电极层包括与所述第二电阻型存储器层接触的第二接触表面，并且所述第二接触表面具有与所述第一接触电阻不同的第二接触电阻。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种电阻型存储器器件，包括：第一导线，包括施加有电压的接入点；以及多个存储器单元，连接到所述第一导线，其中，所述多个存储器单元包括：第一存储器单元，设置在距所述接入点第一距离处，所述第一存储器单元包括第一电阻型存储器层和第一加热电极层，所述第一加热电极层包括与所述第一电阻型存储器层接触的第一接触表面，并且所述第一接触表面具有第一接触电阻；以及第二存储器单元，布置在距所述接入点比所述第一距离大的第二距离处，所述第二存储器单元包括第二电阻型存储器层和第二加热电极层，所述第二加热电极层包括与所述第二电阻型存储器层接触的第二接触表面，并且所述第二接触表面具有与所述第一接触电阻不同的第二接触电阻。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种电阻型存储器器件，包括：多个第一导线，在第一区域和第二区域中沿第一方向延伸，所述第一区域和所述第二区域在衬底上彼此间隔开；多个第二导线，在所述第一区域和所述第二区域中沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向交叉；以及多个存储器单元，在所述第一区域和所述第二区域中连接到第一导线和第二导线，其中，所述多个存储器单元包括：第一存储器单元，包括布置在所述第一区域中并具有第一电阻的第一加热电极层；以及第二存储器单元，包括布置在所述第二区域中并具有比所述第一电阻大的第二电阻的第二加热电极层。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种电阻型存储器器件，包括：多个字线，在第一方向上延伸；多个位线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；第一存储器单元，连接到第一字线和第一位线；以及第二存储器单元，连接到所述第一字线和所述第二位线，其中，所述第一存储器单元设置为比所述第二存储器单元更靠近所述第一字线的接入点，所述第一存储器单元包括与第一电阻材料层直接接触的第一加热层，所述第二存储器单元包括与第二电阻材料层直接接触的第二加热层，并且其中，在所述第二加热层与所述第二电阻材料层之间提供比在所述第一加热层与所述第一电阻材料层之间更大的接触电阻。

附图说明