[发明专利]用于有机发光二极管显示器的电力和数据路由结构在审
申请号: | 201910460227.7 | 申请日: | 2019-05-30 |
公开(公告)号: | CN110634911A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | T·T·莫伊;Y·车;S·将;W·S·瑞都特-路易斯;B·L·维斯韦沃兰;崔宰源;A·J·罗德巴里;M-K·柳;山形裕和;大津圭介 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 边海梅 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 正电源 圆角 负电源 有机发光二极管显示器 显示器 路径可用 正电源电压 数据路由 非直线 负电压 屏蔽层 数据线 阴极层 栅极线 省略 电阻 分配 像素 反射 占据 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器包括:
薄膜晶体管电路;
基板,所述基板具有有效区域,所述有效区域具有由所述薄膜晶体管电路形成的像素阵列;
金属正电源路径,所述金属正电源路径位于所述基板上,所述金属正电源路径将正电源电压携载到所述有效区域,其中所述金属正电源路径具有第一部分、第二部分以及位于所述第一部分和所述第二部分之间的切口;和
金属负电源路径,所述金属负电源路径位于所述基板上,所述金属负电源路径将负电源电压携载到所述有效区域,其中所述金属负电源路径具有形成于所述金属正电源路径的所述切口中的第一部分。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述金属负电源路径的所述第一部分中的至少一些与所述有效区域直接相邻。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述金属负电源路径的所述第一部分是水平部分,并且其中所述金属负电源路径具有垂直部分以及插置在所述垂直部分和所述水平部分之间的圆角部分。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器,还包括:
栅极驱动器电路,其中所述栅极驱动器电路插置在所述有效区域和所述金属负电源路径的所述垂直部分之间,其中所述金属正电源路径的所述第二部分和所述栅极驱动器电路插置在所述有效区域和所述金属负电源路径的所述圆角部分之间,并且其中所述金属正电源路径不插置在所述有效区域和所述金属负电源路径的所述水平部分中的至少一些之间。
5.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中所述金属正电源路径的所述第一部分为水平部分,并且其中所述金属正电源路径的所述第二部分为圆角部分。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器,还包括:
多个导电路径,所述多个导电路径位于所述有效区域内,所述多个导电路径将所述金属正电源路径的所述水平部分电连接到所述金属正电源路径的所述圆角部分。
7.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器,还包括:
像素限定层,所述像素限定层位于所述薄膜晶体管电路上,其中所述像素限定层具有开口,所述开口中的每个开口包含有机发光二极管的阳极和有机发射层,并且所述开口中的每个开口与所述像素中的相应一个像素相关联;
阴极层,所述阴极层覆盖所述像素阵列;和
金属层,所述金属层具有形成所述有机发光二极管的所述阳极的多个部分以及将所述阴极层电连接至所述金属负电源路径的附加部分。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器,其中所述金属层的所述附加部分覆盖并电连接至所述金属负电源路径的所述垂直部分、所述金属负极电源路径的所述圆角部分、以及所述金属负电源路径的所述水平部分。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器,还包括:
多根数据线,所述多根数据线被所述金属正电源路径的所述圆角部分覆盖;和
多根栅极线,所述多根栅极线形成于所述金属正电源路径的所述圆角部分之上,其中所述多根栅极线中的至少一根栅极线具有多个弯曲部分,并且其中所述金属层的所述附加部分在所述多根栅极线和所述金属正电源路径的所述圆角部分之上延伸。
10.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器,还包括:
多根数据线,所述多根数据线被所述金属正电源路径的所述圆角部分覆盖;和
抗反射层,所述抗反射层形成于所述金属正电源路径的所述圆角部分之上。
11.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器,还包括:
多根数据线,所述多根数据线被所述金属正电源路径的所述圆角部分覆盖;和
光吸收有机层,所述光吸收有机层形成于所述金属正电源路径的所述圆角部分之上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的