[发明专利]用于有机发光二极管显示器的电力和数据路由结构在审
申请号: | 201910460227.7 | 申请日: | 2019-05-30 |
公开(公告)号: | CN110634911A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | T·T·莫伊;Y·车;S·将;W·S·瑞都特-路易斯;B·L·维斯韦沃兰;崔宰源;A·J·罗德巴里;M-K·柳;山形裕和;大津圭介 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 边海梅 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 正电源 圆角 负电源 有机发光二极管显示器 显示器 路径可用 正电源电压 数据路由 非直线 负电压 屏蔽层 数据线 阴极层 栅极线 省略 电阻 分配 像素 反射 占据 | ||
本发明题为“用于有机发光二极管显示器的电力和数据路由结构”。有机发光二极管显示器可以具有圆角。负电源路径可用于将负电压分配至阴极层,而正电源路径可用于将正电源电压分配至显示器中的每个像素。正电源路径可以具有被负电源路径占据的切口,以降低位于显示器的圆角中的负电源路径的电阻。为了减轻由形成于紧密间隔的数据线之上的正电源路径引起的反射,可以在显示器的圆角中省略正电源路径,可以在圆角中的正电源路径之上形成屏蔽层,或者可以在正电源路径之上形成非直线栅极线。
本专利申请要求2019年4月4日提交的美国专利申请16/375,756以及2018年6月22日提交的美国临时专利申请62/688,971的优先权,这些专利申请据此全文以引用方式并入本文。
技术领域
本发明整体涉及电子设备,并且更具体地涉及具有有机发光二极管显示器的电子设备。
背景技术
电子设备通常包括显示器。例如,电子设备可具有基于有机发光二极管像素的有机发光二极管显示器。每个像素可具有包括相应发光二极管的像素电路。该像素电路中的薄膜晶体管电路可用于控制向该像素中的发光二极管施加电流。该薄膜晶体管电路可包括驱动晶体管。该像素电路中的驱动晶体管和发光二极管可串联耦接在正电源和负电源之间。
有机发光二极管显示器中的信号诸如电源信号可能由于用于分配这些信号的导电路径中的电阻损耗而遭受到不期望的电压降。如果不小心,这些电压降可妨碍有机发光二极管显示器的良好运转。在具有其中信号路由空间有限的布局的显示器中,分配电力信号和数据信号时也可能出现挑战。
因此,期望能够提供改进的方式来在显示器上分配诸如电源信号和数据信号的信号,诸如该显示器为有机发光二极管显示器。
发明内容
一种有机发光二极管显示器可以具有形成于基板上的薄膜晶体管电路。该显示器和基板可具有圆角。像素限定层可形成在薄膜晶体管电路上。可以向像素限定层内的开口提供与有机发光二极管的相应阳极重叠的发射材料。
阴极层可覆盖像素阵列。负电源路径可用于将负电源电压分配至阴极层,而正电源路径可用于将正电源电压分配至像素阵列内的每个像素。该正电源路径可以具有位于两个部分之间的被负电源路径占据的切口,以降低位于显示器的圆角中的负电源路径的电阻。
负电源路径可以由金属层形成,其可以使用形成二极管的阳极的金属层的部分来短接至阴极层。将负电源路径扩展到正电源路径的切口区域内可增大负电源路径和阳极金属层之间的接触区域,并且可增大阳极金属层和阴极层之间的接触区域。
为了减轻由形成于紧密间隔的数据线之上的正电源路径引起的反射,可以在显示器的圆角区域内省略正电源路径。可以在圆角区域内的正电源路径之上形成屏蔽层,以减轻反射。可以在圆角区域内的正电源路径之上形成非直线栅极线,以减轻反射。还可将抗反射层或光吸收有机层结合到显示器中以减轻反射。
附图说明
图1是根据一个实施方案的具有显示器的例示性电子设备的图示。
图2是根据一个实施方案的例示性有机发光二极管像素电路的图示。
图3是根据一个实施方案的例示性有机发光二极管显示器的图示。
图4是根据一个实施方案的例示性有机发光二极管显示器的有效区域的一部分的横截面侧视图。
图5是根据一个实施方案的示出了负电源电压分配路径和正电源分配路径的例示性有机发光二极管显示器的圆角的顶视图。
图6是根据一个实施方案的示出了如何沿显示器的右边缘将负电源电压分配路径短接至阴极层的图5所示的显示器的横截面侧视图。
图7是根据一个实施方案的示出了如何沿显示器的圆角将负电源电压分配路径短接至阴极层的图5所示的显示器的横截面侧视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的