[发明专利]缺陷定位系统及方法

说明书

本发明提供一种缺陷定位系统和缺陷定位方法，所述缺陷定位系统包括：第一缺陷定位模块，用于向晶片表面发射检测光束、并根据所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置；以及第二缺陷定位模块，用于根据所述第一缺陷定位模块确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像，并根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。本发明实施例的缺陷定位系统和缺陷定位方法能够在提高缺陷定位的准确率的同时，大幅度地提高缺陷位置的检测效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种缺陷定位系统及缺陷定位方法。

背景技术

半导体制造工艺中，需要使用检验工艺来检测晶片上的缺陷以提高晶片的合格率。各种检验工艺不仅需要准确地捕捉晶片表面的缺陷，还需要具备极高的吞吐量。检验机台的检测能力的好坏决定着半导体制程工艺稳定性的优劣。

然而目前的检验工艺很难在高效检测和准确检测之间达到平衡，例如在维持高吞吐量的同时，会导致机台检测的缺陷坐标不够准确；而在提高机台对缺陷检测的准确率的同时，会影响机台的检测效率。

因此，如何兼顾晶片缺陷检测的准确率和检测效率是目前亟待解决的问题。

发明内容

为了提高晶片缺陷检测的准确率和检测效率，本发明实施例提供一种缺陷定位系统，包括：第一缺陷定位模块，用于向晶片表面发射检测光束、并根据所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置；以及第二缺陷定位模块，用于根据所述第一缺陷定位模块确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像，并根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。

可选地，所述第二缺陷定位模块用于根据所述第一缺陷定位模块确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷原位地进行光学显微成像。

可选地，所述第二缺陷定位模块根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正包括：所述第二缺陷定位模块根据所述至少一个缺陷的显微成像结果控制所述晶片旋转或平移，并根据所述晶片的旋转角度或平移量，对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正。

可选地，所述第一缺陷定位模块包括：光源，用于朝向所述晶片表面发射所述检测光束；探测器，用于探测所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号、并产生指示所述光信号的输出信号；以及第一处理装置，用于根据所述探测器的输出信号确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置。

可选地，所述第二缺陷定位模块包括：光学显微成像装置，用于根据所述第一缺陷定位模块确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像；以及第二处理装置，用于根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正，得到所述一个或多个缺陷的第二位置。

可选地，所述光学显微成像装置包括光学显微镜。

可选地，所述第二处理装置还用于：根据确定的所述一个或多个缺陷的第一位置，控制所述晶片作第一旋转运动和/或第一平移运动，使所述至少一个缺陷的第一位置位于所述光学显微成像装置的视场内。