[发明专利]微影方法

说明书

本揭露是关于一种微影方法，其包括在基板上方形成抗蚀剂层。抗蚀剂层曝露于辐射。使用移除所曝露的抗蚀剂层的曝露部分的显影剂显影所曝露的抗蚀剂层，进而形成图案化的抗蚀剂层。使用碱性水冲洗溶液冲洗图案化的抗蚀剂层。

技术领域

本揭露涉及一种用于正色调显影的微影方法。

背景技术

微影术广泛地用于集成电路(IC)制造中，其中各种IC图案转移至工件以形成IC元件。微影术制程可包括在工件上方形成抗蚀剂层，将抗蚀剂层曝露于图案化辐射，及显影所曝露的抗蚀剂层，进而形成图案化的抗蚀剂层。随着IC技术不断向更小的技术节点发展，抗蚀剂图案的结构完整性变得更脆弱，因为抗蚀剂图案更易于变形、破裂及/或剥落。多个因素影响此等参数，其中有用于所曝露抗蚀剂层上的显影剂及冲洗溶液的选择。移除抗蚀剂层的曝露部分的正色调显影(Positive tone development，PTD)及移除抗蚀剂层的未曝露部分的负色调显影(Negative tone development，NTD)常常使用不同的显影剂及冲洗溶液。现有的PTD制程及NTD制程导致各种抗蚀剂结构问题。因此，虽然现有的微影技术大体已满足其预期的目的，但它们并非在各方面都完全令人满意。

发明内容

本揭露提供一种微影方法，包括在基板上方形成抗蚀剂层；抗蚀剂层曝露于辐射；使用显影剂显影所曝露的抗蚀剂层，进而形成图案化的抗蚀剂层；使用碱性水冲洗溶液冲洗图案化的抗蚀剂层。

本揭露提供一种微影方法，包括在基板上方形成抗蚀剂层；抗蚀剂层曝露于辐射；使用碱性水溶液润湿所曝露的抗蚀剂层；使用移除所曝露的抗蚀剂层的曝露部分的显影剂显影所曝露的抗蚀剂层，进而形成图案化的抗蚀剂层。

本揭露提供一种微影方法，包括在基板上方形成抗蚀剂层。抗蚀剂层曝露于辐射；在正色调显影剂中显影抗蚀剂层，进而形成图案化的抗蚀剂层；在显影抗蚀剂层期间向抗蚀剂层提供碱性水溶液；碱性水溶液的pH值低于正色调显影剂的pH值，且碱性水溶液的碱浓度低于正色调显影剂的碱浓度。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本揭露的各方面。应注意，各种特征不一定按比例绘制。实际上，为了清楚说明，可以任意增加或减小各种特征的尺寸和几何形状。

图1是根据本揭露的各种态样的用于处理工件的微影方法的流程图；

图2A至图2I是根据本揭露的各种态样的处于各种制造阶段的部分或完整的工件的剖面图；

图3是根据本揭露的各种态样的用于处理工件的微影方法的流程图；

图4是根据本揭露的各种态样的用于处理工件的微影方法的流程图；

图5A至图5E是根据本揭露的各种态样的处于各种制造阶段的部分或完整的工件的剖面图。

【符号说明】

100：方法

110：区块

120：区块

130：区块/操作

140：区块/操作

140'：操作

150：区块

160：区块

170：区块

180：操作

200：工件

202：辐射

204：显影剂

206：冲洗溶液

210：基板