[发明专利]一种基于STT-MRAM的固态存储器件随机访问性能提升方法

权利要求书

1.一种基于STT-MRAM的固态存储器件随机访问性能提升方法，所述固态存储器件包括磁性随机存储器STT-MRAM和存储介质NAND flash，其特征在于，所述基于STT-MRAM的固态存储器件随机访问性能提升方法，包括：

在STT-MRAM中存储NAND flash的所有逻辑地址LBA的读写次数；

根据LBA的读写次数选取预设占比的LBA作为高命中LBA，取NAND flash中与高命中LBA对应的数据作为高命中LBA数据，将高命中LBA数据存储在STT-MRAM的缓冲区中；选取高命中LBA时，根据LBA的读写次数对所有LBA进行从高到低的排序，取排序靠前且数量符合预设占比的LBA作为高命中LBA；

在收到读操作命令时，更新STT-MRAM中读操作命令请求的目的LBA的读写次数，若目的LBA为高命中LBA，则将缓冲区中与目的LBA对应的高命中LBA数据返回；否则进行常规读操作；

在收到写操作命令时，更新STT-MRAM中写操作命令请求的目的LBA的读写次数，若目的LBA为高命中LBA，则将缓冲区中与目的LBA对应的高命中LBA数据进行改写；否则进行常规写操作；

其中，所述的基于STT-MRAM的固态存储器件随机访问性能提升方法，还包括在进行内存回收流程时：

取空数据块作为目的BLOCK；

先将STT-MRAM的缓冲区中的高命中LBA数据写入目的BLOCK中，设置NAND flash中与高命中LBA对应的数据为无效数据；

接着将NAND flash中的有效数据搬运至目的BLOCK中。

2.如权利要求1所述的基于STT-MRAM的固态存储器件随机访问性能提升方法，其特征在于，所述常规读操作，包括：

根据读操作命令请求的目的LBA和NAND flash中存储的LBA映射表，得到对应的物理地址，根据所述物理地址找到对应的数据块，对数据块进行读操作。

3.如权利要求1所述的基于STT-MRAM的固态存储器件随机访问性能提升方法，其特征在于，所述常规写操作，包括：

将写操作命令中的数据写入NAND flash的空数据块中，并记录对应的物理地址，建立物理地址与写操作命令请求的目的LBA的新的地址映射关系，更新NAND flash中存储的LBA映射表。

4.如权利要求1所述的基于STT-MRAM的固态存储器件随机访问性能提升方法，其特征在于，所述更新STT-MRAM中读操作命令或写操作命令请求的目的LBA的读写次数后，还包括：

取高命中LBA中的最小读写次数作为阈值；

若目的LBA不是高命中LBA且读写次数大于阈值，则将NAND flash中与目的LBA对应的数据存入STT-MRAM的缓冲区中；

同时将最小读写次数的高命中LBA对应的数据从缓冲区中取出并写入NAND flash的空数据块中，记录对应的物理地址，建立物理地址与最小读写次数的高命中LBA的新的地址映射关系，更新NAND flash中存储的LBA映射表。