[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、电子装置基板及电子装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成金属层，其中，所述金属层包括彼此绝缘的第一部分、第二部分和第三部分；

在所述金属层上形成有源层，其中，所述有源层包括源极区和漏极区，所述金属层的所述第一部分接触所述源极区，所述金属层的所述第二部分接触所述漏极区，所述金属层的第三部分在所述衬底基板上的正投影位于所述有源层在所述衬底基板上的正投影内，且所述第三部分在从所述金属层的第一部分到第二部分的方向上的宽度小于所述有源层的宽度，所述第三部分被配置为所述薄膜晶体管的栅极；

通过所述金属层对所述有源层导体化处理，以使所述源极区和所述漏极区被导体化；以及

在所述有源层远离所述金属层的一侧形成源极和漏极，其中，所源极与所述有源层的所述源极区电连接，所述漏极与所述有源层的所述漏极区电连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，在所述金属层上形成所述有源层，包括：

在所述金属层上形成第一绝缘层，使所述第一绝缘层覆盖所述金属层且暴露所述第一部分和所述第二部分；以及

在所述第一绝缘层上形成所述有源层。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，通过所述金属层对所述有源层导体化处理，包括：

对所述金属层和所述有源层退火处理，以使所述源极区和所述漏极区被导体化。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，所述退火处理的温度为100-400℃，所述退火处理的时间为10-500min。

5.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，所述金属层的材料为铝、铜、钛、钼金属或合金。

6.一种薄膜晶体管，包括：金属层、有源层、源极和漏极，

其中，所述金属层为不透明金属层，所述有源层位于所述金属层上，

所述金属层包括彼此绝缘的第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分接触所述有源层的源极区，所述第二部分接触所述有源层的漏极区，

所述金属层的第三部分位于所述有源层在所述金属层上的正投影内，且所述第三部分在从所述金属层的第一部分到第二部分的方向上的宽度小于所述有源层的宽度，所述第三部分被配置为所述薄膜晶体管的栅极，

所述源极区和所述漏极区相对于所述有源层的沟道区被导体化，其中，通过所述金属层对所述有源层导体化处理，以使所述源极区和所述漏极区被导体化，

所述源极和所述漏极位于所述有源层的远离所述金属层的一侧，所述源极与所述有源层的所述源极区接触且电连接，所述漏极与所述有源层的所述漏极区接触且电连接。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，所述金属层的材料为铝、铜、钛、钼金属或合金。

8.根据权利要求6或7所述的薄膜晶体管，还包括第一绝缘层，

其中，所述第一绝缘层设置在所述金属层和所述有源层之间，所述第一绝缘层覆盖所述金属层除所述第一部分和所述第二部分外的其他部分。

9.一种电子装置基板，包括如权利要求6-8任一所述的薄膜晶体管。

10.一种电子装置，包括如权利要求9所述的电子装置基板。