[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、电子装置基板及电子装置

说明书

一种薄膜晶体管及其制备方法、电子装置基板及电子装置，该薄膜晶体管的制备方法，包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成金属层，金属层包括彼此绝缘的第一部分和第二部分；在金属层上形成有源层，有源层包括源极区和漏极区，金属层的第一部分接触源极区，金属层的第二部分接触漏极区；以及通过金属层对有源层导体化处理，以使源极区和漏极区被导体化。该制备方法降低了薄膜晶体管的有源层的导体化区域存在的接触不良的风险。

技术领域

本公开的实施例涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、电子装置基板及电子装置。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)包括栅极、源极、漏极、栅极绝缘层和半导体层等结构。栅极通过栅极绝缘层与半导体层隔开，源极和漏极与半导体层直接接触。当栅极上施加的电压达到预定值时，位于源极和漏极之间的半导体层的沟道区域变得导电或不导电，当半导体层的沟道区域变得导电时，在源极和漏极之间可以产生电流，由此薄膜晶体管可以起到开关元件的作用。

发明内容

本公开至少一个实施例提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成金属层，其中，所述金属层包括彼此绝缘的第一部分和第二部分；在所述金属层上形成有源层，其中，所述有源层包括源极区和漏极区，所述金属层的所述第一部分接触所述源极区，所述金属层的所述第二部分接触所述漏极区；以及通过所述金属层对所述有源层导体化处理，以使所述源极区和所述漏极区被导体化。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管的制备方法中，在所述金属层上形成所述有源层，包括：在所述金属层上形成第一绝缘层，使所述第一绝缘层覆盖所述金属层且暴露所述第一部分和所述第二部分；以及在所述第一绝缘层上形成所述有源层。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管的制备方法中，通过所述金属层对所述有源层导体化处理，包括：对所述金属层和所述有源层退火处理，以使所述源极区和所述漏极区被导体化。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管的制备方法中，所述退火处理的温度为100-400℃，所述退火处理的时间为10-500min。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管的制备方法中，所述金属层的材料为铝、铜、钛、钼金属或合金。

例如，本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管的制备方法还包括：形成源极和漏极，其中，所源极与所述有源层的所述源极区电连接，所述漏极与所述有源层的所述漏极区电连接。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管的制备方法中，所述金属层还包括第三部分，所述第三部分与所述第一部分及所述第二部分彼此绝缘，所述第三部分在所述衬底基板上的正投影位于所述有源层在所述衬底基板上的正投影内。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管的制备方法中，所述第三部分被配置为所述薄膜晶体管的栅极。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管的制备方法中，在通过所述金属层对所述有源层导体化处理之后，所述制备方法还包括：在所述有源层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极；以及在所述栅极上形成第二绝缘层。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管的制备方法中，在通过所述金属层对所述有源层导体化处理之前，所述制备方法还包括：在所述有源层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极；以及在所述栅极上形成第二绝缘层。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管的制备方法中，在通过所述金属层对所述有源层导体化处理之前，所述制备方法还包括：在所述有源层上形成栅极绝缘层；在通过所述金属层对所述有源层导体化处理之后，所述制备方法还包括：在所述栅极绝缘层上形成栅极，以及在所述栅极上形成第二绝缘层。