[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，在彼此相交的第一方向和第二方向上延伸；

纳米线，在所述衬底上并在所述第二方向上彼此间隔开；

栅电极，在所述第一方向上延伸且在所述第二方向上彼此间隔开，并围绕所述纳米线以与所述纳米线竖直地叠置；

外部隔墙，在所述衬底上并覆盖所述纳米线上的所述栅电极的侧壁；以及

隔离层，在所述栅电极之间并在所述第一方向上延伸，所述隔离层的上表面与所述栅电极的上表面齐平。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述隔离层的上表面高于所述纳米线。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

源极区/漏极区，与所述隔离层间隔开，所述栅电极处于所述源极区/漏极区与所述隔离层之间

其中，所述源极区/漏极区在垂直于所述衬底的上表面的第三方向上的长度小于所述隔离层在所述第三方向上的长度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述隔离层的下表面低于所述源极区/漏极区的下表面，并且所述隔离层的上表面高于所述源极区/漏极区的上表面。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：

蚀刻停止图案，与所述源极区/漏极区的上表面和所述外部隔墙的上表面接触，

其中，所述蚀刻停止图案的上表面与所述隔离层的上表面齐平。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，在与所述第二方向和所述第三方向平行并且穿过所述源极区/漏极区的横截面上，所述外部隔墙高于所述源极区/漏极区的上表面。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外部隔墙中的一些外部隔墙与所述隔离层接触。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，与所述隔离层接触的所述外部隔墙在第二方向上的宽度小于与所述隔离层间隔开的所述外部隔墙在第二方向上的宽度。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述外部隔墙的上表面与所述隔离层齐平。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述纳米线与所述栅电极之间的栅极电介质层，

其中，所述栅极电介质层的上表面与所述隔离层的上表面齐平。

11.一种半导体器件，包括：

衬底，在彼此相交的第一方向和第二方向上延伸；

纳米线，在所述衬底上并在所述第二方向上彼此间隔开；

栅电极，在所述第一方向上延伸且在所述第二方向上彼此间隔开，并围绕所述纳米线以与所述纳米线竖直地叠置；

外部隔墙，在所述衬底上并覆盖所述纳米线上的所述栅电极的侧壁；以及

隔离层，在所述栅电极之间并在所述第一方向上延伸，所述隔离层包括多个层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述隔离层包括：

衬层，与所述纳米线和所述外部隔墙接触并且共形地形成；以及

填充物，具有与所述衬层不同的成分并且填充所述衬层内侧的至少一部分。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中：

所述填充物共形地形成，并且

所述隔离层还包括填充所述填充物内侧的应力控制层。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述衬层、所述填充物和所述应力控制层的上表面形成共面表面。