[发明专利]半导体器件

说明书

根据示例实施例的半导体器件包括：衬底，在彼此相交的第一方向和第二方向上延伸；纳米线，在所述衬底上并在所述第二方向上彼此间隔开；栅电极，在所述第一方向上延伸且在所述第二方向上彼此间隔开，并围绕所述纳米线以与所述纳米线竖直地叠置；外部隔墙，在所述衬底上并覆盖所述纳米线上的所述栅电极的侧壁；以及隔离层，在所述栅电极之间并在所述第一方向上延伸，其中，所述隔离层的上表面与所述栅电极的上表面齐平。

相关申请的交叉引用

于2018年8月30日在韩国知识产权局提交的题为“Semiconductor Device”的韩国专利申请No.10-2018-0103027通过引用整体并入本文中。

技术领域

实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

随着电子器件变小变轻的趋势，对半导体器件的高集成度的需求不断增加。

发明内容

实施例涉及一种半导体器件，包括：衬底，在彼此相交的第一方向和第二方向上延伸；纳米线，在所述衬底上并在所述第二方向上彼此间隔开；栅电极，在所述第一方向上延伸且在所述第二方向上彼此间隔开，并围绕所述纳米线以与所述纳米线竖直地叠置；外部隔墙，在所述衬底上并覆盖所述纳米线上的所述栅电极的侧壁；以及隔离层，在所述栅电极之间并在所述第一方向上延伸。所述隔离层的上表面可以与所述栅电极的上表面齐平。

实施例还涉及一种半导体器件，包括：衬底，在彼此相交的第一方向和第二方向上延伸；纳米线，在所述衬底上并在所述第二方向上彼此间隔开；栅电极，在所述第一方向上延伸且在所述第二方向上彼此间隔开，并围绕所述纳米线以与所述纳米线竖直地叠置；外部隔墙，在所述衬底上并覆盖所述纳米线上的所述栅电极的侧壁；以及隔离层，在所述栅电极之间并在所述第一方向上延伸。所述隔离层可以包括多个层。

实施例还涉及一种半导体器件，包括：衬底，包括彼此水平间隔开的第一区域和第二区域；第一纳米线，在所述第一区域中并且彼此水平间隔开；第一栅电极，在所述第一区域中并围绕所述第一纳米线；第一栅极电介质层，在所述第一区域中并且在所述第一纳米线与所述第一栅电极之间；第一外部隔墙，与所述第一纳米线上的所述第一栅极电介质层接触；以及第一隔离层，在所述第一栅电极之间；第二纳米线，在所述第二区域中并且彼此水平间隔开；第二栅电极，在所述第二区域中并围绕所述第二纳米线；第二栅极电介质层，在所述第二区域中并且在所述第二纳米线与所述第二栅电极之间；以及第二外部隔墙，与所述第二纳米线上的所述第二栅极电介质层接触；以及第二隔离层，在所述第二栅电极之间。所述第一隔离层可以布置在与所述第一栅电极的上表面相同的高度处，所述第二隔离层可以布置在与所述第二栅电极的上表面相同的高度处。

附图说明

通过参考附图详细描述示例实施例，特征对于本领域技术人员将变得显而易见，在附图中：

图1A示出了用于说明根据示例实施例的半导体器件的平面图。

图1B示出了沿图1A的线1A-1A’和1B-1B’截取的横截面图；

图1C示出了沿图1A的线1C-1C’和1D-1D’截取的横截面图；

图1D示出了沿图1A的线1E-1E′和1F-1F′截取的横截面图；

图2至图4示出了根据示例实施例的半导体器件的横截面图；以及

图5A至图16示出了根据示例实施例的半导体器件的视图。

具体实施方式

图1A是根据示例实施例的半导体器件的平面图。图1B是沿图1A的线1A-1A’和1B-1B’截取的横截面图。图1C是沿图1A的线1C-1C’和1D-1D’截取的横截面图。图1D是沿图1A的线1E-1E’和1F-1F’截取的横截面图。