[发明专利]控制电路及其包含的半导体结构

权利要求书

1.一种控制电路，用以提供一输出电压予一负载，其特征在于，所述控制电路包括：

一空乏型MOSFET，其漏极接收一输入电压，其栅极接收一第一控制电压；

一增强型MOSFET，其漏极接收所述输入电压，其源极耦接所述负载；以及

一电流电压转换器，根据流经所述空乏型MOSFET的电流，产生一第二控制电压予所述增强型MOSFET的栅极；

其中所述增强型MOSFET根据所述第二控制电压产生所述输出电压予所述负载；

其中所述增强型MOSFET的栅极与所述空乏型MOSFET的栅极重叠一第一井区，并且所述第一井区具有一第一掺杂区，该第一掺杂区作为所述增强型MOSFET的漏极与所述空乏型MOSFET的漏极。

2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述电流电压转换器包括：

一储能元件，耦接于所述空乏型MOSFET的源极与所述增强型MOSFET的栅极，并根据流经所述空乏型MOSFET的电流而充电，用以提供所述第二控制电压；以及

一二极管，并联所述储能元件。

3.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述电流电压转换器为一电阻，所述电阻根据流经所述空乏型MOSFET的电流，提供所述第二控制电压。

4.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，还包括：

一电压调整器，根据所述输出电压，产生所述第一控制电压。

5.根据权利要求4所述的控制电路，其特征在于，所述电压调整器包括：

一电阻串，处理所述输出电压，用以产生一分压；以及

一比较电路，比较所述分压与一参考电压，用以产生所述第一控制电压。

6.根据权利要求5所述的控制电路，其特征在于，所述参考电压由所述负载提供。

7.一种包含于权利要求1所述的控制电路的半导体结构，其特征在于，包括：

一基底，具有一第一导电型；

一第二井区，具有所述第一导电型，并形成在所述基底中；

一第二掺杂区，具有一第二导电型，并形成在所述第二井区中；

一第一栅极结构，形成于所述基底之上，并重叠所述第一井区及第二井区；

一第三井区，具有所述第一导电型，并形成在所述基底中；

一第三掺杂区，具有所述第二导电型，并形成在所述第三井区中；以及

一第二栅极结构，形成于所述基底之上，并重叠所述第二井区及第三井区；

其中所述第二掺杂区作为-增强型MOSFET的源极，所述第一栅极结构作为所述增强型MOSFET的栅极；

其中所述第三掺杂区作为所述空乏型MOSFET的源极，所述第二栅极结构作为所述空乏型MOSFET的栅极；

其中所述第一井区具有所述第二导电型，并形成在所述基底中，所述第一掺杂区具有所述第二导电型。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

一第四掺杂区，具有所述第二导电型，所述第四掺杂区具有一第一部分以及一第二部分，所述第一部分形成在所述基底中，所述第二部分形成在所述第三井区中；

其中所述第四掺杂区作为所述空乏型MOSFET的通道。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

一第四井区，具有所述第二导电型，并形成于所述第一井区中，其中所述第一掺杂区位于所述第四井区中；

一第一隔离结构，用以分隔所述第二栅极结构与所述第一掺杂区；

一第二隔离结构，用以分隔所述第一栅极结构与所述第一掺杂区；

一第五掺杂区，具有所述第一导电型，并形成于所述第一隔离结构之下；以及

一第六掺杂区，具有所述第一导电型，并形成于所述第二隔离结构之下。

10.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电型为P型，所述第二导电型为N型。