[发明专利]控制电路及其包含的半导体结构

说明书

本发明提供一种控制电路及其包含的半导体结构，该控制电路用以提供一输出电压予一负载，并包括一空乏型MOSFET、一增强型MOSFET以及一电流电压转换器。空乏型MOSFET的漏极接收一输入电压，其栅极接收一第一控制电压。增强型MOSFET的漏极接收输入电压，其源极耦接负载。电流电压转换器根据流经空乏型MOSFET的电流，产生一第二控制电压予增强型MOSFET的栅极。增强型MOSFET根据第二控制电压产生输出电压予负载，且增强型MOSFET与空乏型MOSFET整合在同一基底上。

技术领域

本发明有关于一种控制电路，特别是有关于一种供电予一负载的控制电路，其中控制电路可包含空乏型MOSFET与增强型MOSFET的一半导体结构。

背景技术

晶体管主要分为双极性接面晶体管(bipolar junction transistor；BJT)以及场效应晶体管(field effect transistor；FET)。场效应晶体管又分为金属氧化半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor FET；MOSFET)以及接面场效应晶体管(junctionFET；JFET)。然而，接面场效应晶体管的栅极易发生漏电流，进而造成功率损耗。

发明内容

本发明提供一种控制电路，用以提供一输出电压予一负载，并包括一空乏型MOSFET、一增强型MOSFET以及一电流电压转换器。空乏型MOSFET的漏极接收一输入电压，其栅极接收一第一控制电压。增强型MOSFET的漏极接收输入电压，其源极耦接负载。电流电压转换器根据流经空乏型MOSFET的电流，产生一第二控制电压予增强型MOSFET的栅极。增强型MOSFET根据第二控制电压产生输出电压予负载，且增强型MOSFET与空乏型MOSFET整合在同一基底上。

本发明提供一种包含于控制电路的半导体结构，包括：一基底，具有一第一导电型；一第一井区，具有所述第一导电型，并形成在所述基底中；一第一掺杂区，具有一第二导电型，并形成在所述第一井区中；一第二井区，具有所述第二导电型，并形成在所述基底中；一第二掺杂区，具有所述第二导电型，并形成在所述第二井区中；以及一第一栅极结构，形成于所述基底之上，并重叠所述第一及第二井区；其中所述第一掺杂区作为一增强型MOSFET的源极，所述第二掺杂区作为所述增强型MOSFET的漏极，所述第一栅极结构作为所述增强型MOSFET的栅极。

附图说明

图1为本发明的操作系统的示意图；

图2为本发明的控制电路的一可能实施例；

图3为本发明的控制电路的另一可能实施例；

图4为本发明的控制电路的另一可能实施例；

图5为本发明的空乏型MOSFET与增强型MOSFET的半导体结构俯视图；

图6为图5的半导体结构沿着虚线A-A”部分的剖面图。

附图标记说明

100：操作系统；

110：控制电路；

120：负载；

Vin：输入电压；

Vout：输出电压；

RV：参考电压；

210、310、410：控制电路；

211、311、411、DT：空乏型MOSFET；

212、312、412、ET：增强型MOSFET；

213、313、413：电流电压转换器；

214：储能元件；

215：二极管；