[发明专利]具有接点阵列的晶圆加热座有效
申请号: | 201910467555.X | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN110265323B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 荒见淳一;周仁 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃 |
地址: | 110179 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 接点 阵列 加热 | ||
1.一种晶圆加热座,其特征在于:包含,一盘体,具有用于支撑晶圆的一承载面及相对于该承载面的一底面,其中该底面提供有复数个接触垫;及一支撑柱,连接于该盘体的底面,且该支撑柱握持有对应接触该复数个接触垫的一接点阵列,该接点阵列包括复数个接触柱,其中,该支撑柱握持有用于固定该复数个接触柱的一基座,该复数个接触柱的每一者包含一柱体和包覆于该柱体的一外套,其中该柱体可相对于该外套往复移动,该外套被容置于该基座中,该柱体的顶端具有一接触帽,而该接触帽与该外套之间提供有一弹簧,藉此该接点阵列的每一个柱体可相对于该基座移动以分别与对应的接触垫软性接触。
2.如权利要求1所述的晶圆加热座,其特征在于:其中该盘体还被嵌入有一或多个加热组件及一或多个感应单元,每一个加热组件定义该盘体的一加热区域且每一个加热组件与至少三个接触垫电性连接。
3.如权利要求2所述的晶圆加热座,其特征在于:其中该盘体中形成有复数个导通孔连接于该加热组件和上述接触垫。
4.如权利要求2所述的晶圆加热座,其特征在于:其中该接点阵列的接触柱对应地电性耦接至复数个金属棒,以传递与所述加热组件和感应单元有关的讯号。
5.如权利要求1所述的晶圆加热座,其特征在于:其中该支撑柱与一散热器连接,该散热器从该支撑柱的一内部延伸至该支撑柱的一外部。
6.如权利要求5所述的晶圆加热座,其特征在于:其中该散热器连接于该支撑柱的一底端,该散热器具有一上部及一下部,其中该上部延伸至该支撑柱中,该下部暴露于该支撑柱之外且该下部具有复数个冷却通道。
7.如权利要求5所述的晶圆加热座,其特征在于:其中该散热器配置成与复数个金属棒接触以传递金属棒的热。
8.如权利要求1所述的晶圆加热座,其特征在于:其中该接点阵列的接触柱数量为三十六个。
9.一种处理腔体,其特征在于:包含如权利要求5所述的晶圆加热座,其中该散热器的一部分暴露于该处理腔的内部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造