[发明专利]一种用于探测半导体材料X射线性能的装置在审
申请号: | 201910468119.4 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN110057842A | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 王殳凹;陈兰花;梁城瑜;翟富万;程丽葳;王亚星 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | G01N23/00 | 分类号: | G01N23/00;H05K9/00 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 杨慧林 |
地址: | 215168 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 针脚 导电胶 电磁屏蔽盒 探测半导体 电连接 材料X 射线 静电屏蔽 开口 暗箱 高压输入口 信号输入口 测试成本 连接稳定 上下表面 外界环境 准确测量 弱电流 粘合 探测 | ||
本发明公开了一种用于探测半导体材料X射线性能的装置,该装置包括暗箱和静电计,暗箱内设有电磁屏蔽盒,电磁屏蔽盒上方设有开口,开口上方设有X射线光源,电磁屏蔽盒内设有PCB板,PCB板上设有第一导电胶、第二导电胶、第一针脚和第二针脚,第一导电胶和第二导电胶用于分别与样品的上下表面粘合,第一导电胶与第一针脚电连接,第二导电胶与第二针脚电连接,第一针脚与静电计的高压输入口连接,第二针脚与静电计的信号输入口连接。本发明结构简单,操作方便,能够很好地实现静电屏蔽,减少外界环境对探测的干扰,大大降低了测试成本。同时,各部件之间连接稳定,能够准确测量到样品的弱电流,进而得到样品的X射线性能。
技术领域
本发明涉及一种半导体材料性能探测技术领域,特别涉及一种探测半导体材料X射线性能的装置。
背景技术
半导体材料是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间,电阻率约在1mΩ·cm~1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。半导体材料能够直接吸收放射性射线,通过光电效应、康普顿散射、电子对产生三种作用方式产生电子-空穴对,它们在外加电场中运动产生探测器的基本电信号,通过对产生的电信号进行采集,即可得到材料相应的开关比,计算材料探测的灵敏度,计算材料的μτ积。但是由于辐射探测需要电流级别很低,产生的弱电流探测极易受外界环境等因素干扰,从而影响探测的准确性。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明目的在于提供一种结构简单,不受外界环境干扰,可以准确探测半导体材料X射线性能的装置。其采用如下技术方案:
一种用于探测半导体材料X射线性能的装置,其包括暗箱和静电计,所述暗箱内设有电磁屏蔽盒,所述电磁屏蔽盒上方设有开口,所述开口上方设有X射线光源,所述电磁屏蔽盒内设有PCB板,所述PCB板上设有第一导电胶、第二导电胶、第一针脚和第二针脚,所述第一导电胶和第二导电胶用于分别与样品的上下表面粘合,所述第一导电胶与第一针脚电连接,所述第二导电胶与第二针脚电连接,所述第一针脚与所述静电计的高压输入口连接,所述第二针脚与所述静电计的信号输入口连接。
作为本发明的进一步改进,所述第一针脚或第二针脚还与所述静电计的地线输入口连接。
作为本发明的进一步改进,所述PCB板上镀有导电金属层,所述导电金属层与第二导电胶相接触,所述第二针脚与导电金属层电连接。
作为本发明的进一步改进,所述暗箱内还设有承载台,所述电磁屏蔽盒设于所述承载台上。
作为本发明的进一步改进,所述承载台为可升降承载台。
作为本发明的进一步改进,所述第一针脚通过同轴电缆与所述静电计的高压输入口连接,所述第二针脚通过同轴电缆与所述静电计的信号输入口连接。
作为本发明的进一步改进,所述电磁屏蔽盒内设有第一IC插座,所述第一针脚与第一IC插座连接,所述第一IC插座上设有第一BNC连接器,所述第一BNC连接器通过同轴电缆与静电计的高压输入口连接,所述电磁屏蔽盒内设有第二IC插座,所述第二针脚与第二IC插座连接,所述第二IC插座上设有第二BNC连接器,所述第二BNC连接器通过同轴电缆与静电计的信号输入口连接。
作为本发明的进一步改进,还包括控制面板,所述控制面板设于暗箱外壁,所述控制面板与X射线光源连接。
作为本发明的进一步改进,所述静电计为高阻静电计。
本发明的有益效果:
本发明的用于探测半导体材料X射线性能的装置结构简单,操作方便,能够很好地实现静电屏蔽,减少外界环境对探测的干扰,大大降低了测试成本。同时,各部件之间连接稳定,接触好,能够准确测量到样品的弱电流,进而得到样品的X射线性能,探测精度高。
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