[发明专利]一种阵列基板、显示面板及阵列基板制作方法

说明书

本发明实施例公开了一种阵列基板、显示面板及阵列基板制作方法。该阵列基板包括衬底基板，具有彩膜基板对置设置区和台阶区；配向层，位于彩膜基板对置设置区；导电端子结构，包括多层导电膜层，位于台阶区；至少一个凹槽结构，位于台阶区；其中，凹槽结构至少位于导电端子结构与台阶区边界之间，台阶区边界为彩膜基板对置设置区和台阶区的边界。本发明实施例提供的技术方案可以防止配向层材料蔓延至导电端子结构处，避免配向层材料覆盖导电端子结构中的导电接触面，影响导电端子结构的导电能力。

技术领域

本发明实施例涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板制作方法。

背景技术

阵列基板包括彩膜基板对置设置区和台阶区，彩膜基板对置设置区包括显示区，随着全面屏的发展，沿彩膜基板对置设置区朝向台阶区的方向，显示区靠近台阶区的边缘与台阶区背离显示区的边缘之间的宽度越来越小，其中，基于COG(Chip On Glass，简称COG)封装技术的显示装置，显示区靠近台阶区的边缘与台阶区背离显示区的边缘之间的宽度小于等于2.4mm，基于COF(Chip On Film，简称COF)封装技术的显示面板，显示区靠近台阶区的边缘与台阶区的边缘的宽度小于等于1.4mm，为了使显示装置具有较窄的边框，显示装置多采用COF封装技术。

通常情况下，阵列基板的台阶区需要设置导电端子结构，以便将阵列基板内的器件或数据线与外部结构电连接。但是，现有工艺中，用于制作配向层的聚酰亚胺的蔓延能力为1.2mm，即配向层越过显示区蔓延至台阶区的宽度为1.2mm，大于导电端子结构到显示区的距离，导致聚酰亚胺材料蔓延至导电端子结构中，覆盖导电端子结构中的导电接触面，影响导电端子结构的导电能力。

发明内容

本发明提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板制作方法，以实现避免配向层材料覆盖导电端子结构中的导电接触面，影响导电端子结构的导电能力。

第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：

衬底基板，具有彩膜基板对置设置区和台阶区；

配向层，位于彩膜基板对置设置区；

导电端子结构，包括多层导电膜层，位于台阶区；

至少一个凹槽结构，位于台阶区；

其中，凹槽结构至少位于导电端子结构与台阶区边界之间，台阶区边界为彩膜基板对置设置区和台阶区的边界。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括本发明任意实施例所述的阵列基板。

第三方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

提供一衬底基板，衬底基板具有彩膜基板对置设置区和台阶区；

在台阶区形成导电端子结构以及至少一个凹槽结构；

在彩膜基板对置设置区形成配向层；

其中，凹槽结构至少位于导电端子结构与台阶区边界之间；台阶区边界为彩膜基板对置设置区和台阶区的边界。

本发明实施例提供的阵列基板，通过在导电端子结构与台阶区边界之间设置凹槽结构，使得配向层材料朝向导电端子结构蔓延时，当配向层材料蔓延至凹槽结构时，会流淌至凹槽结构内并被凹槽结构存储，从而不会继续蔓延至导电端子结构的导电接触面，实现防止配向层覆盖导电端子结构的导电接触面的效果。

附图说明

图1是现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图；

图2是图1沿A1-A1’的剖面图；

图3是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图4是图3沿A2-A2’的剖面图；