[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括保护环区，所述基底上形成有介电层，所述介电层内形成有顶层互连线，所述介电层露出所述顶层互连线的顶部；

形成至少覆盖所述介电层和顶层互连线的第一钝化层，所述第一钝化层中形成有露出所述顶层互连线的第一开口，所述保护环区的第一开口的开口宽度为第一尺寸；

形成焊垫层，所述焊垫层覆盖所述第一开口的底部和侧壁、以及所述第一开口两侧第一钝化层的部分顶部，所述保护环区第一钝化层部分顶部的焊垫层与第一开口中的焊垫层围成第二开口，位于所述第二开口底部的所述焊垫层的厚度为第二尺寸；其中，所述第一尺寸大于或等于1.5倍的所述第二尺寸；

形成保形覆盖所述焊垫层和所述第一钝化层的第二钝化层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一尺寸为所述第二尺寸的1.5倍至2.5倍。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一开口的步骤中，所述保护环区第一开口的开口宽度与对应的顶层互连线宽度的比值为0.9至1。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一开口的步骤中，所述第一尺寸为3μm至5μm。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一钝化层的步骤中，所述第一钝化层的厚度为所述第二尺寸的0.5倍至3倍。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二钝化层的步骤中，所述第二钝化层的厚度小于0.5倍的所述第二尺寸。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述焊垫层的步骤包括：形成保形覆盖所述第一开口底部和侧壁、以及第一钝化层的焊垫材料层；

图形化所述焊垫材料层，去除所述第一钝化层部分顶部的焊垫材料层，剩余所述焊垫材料层作为所述焊垫层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用溅射工艺形成所述焊垫材料层。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一钝化层的步骤包括：形成覆盖所述介电层和顶层互连线的钝化材料层；在所述钝化材料层上形成具有掩膜开口的掩膜层，所述掩膜开口露出位于所述顶层互连线上的钝化材料层部分顶部；刻蚀所述掩膜开口露出的钝化材料层，剩余所述钝化材料层作为所述第一钝化层；

形成所述第一钝化层后，还包括：去除所述掩膜层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述钝化材料层。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底还包括芯片区，所述芯片区与所述保护环区相邻；

形成所述第二钝化层后，还包括：形成位于所述芯片区的缓冲层。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述缓冲层的步骤中，所述缓冲层的材料为聚合物。

13.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括保护环区；

顶层互连线，位于所述基底上；

介电层，位于所述基底上的顶层互连线之间，且露出所述顶层互连线；

第一钝化层，位于所述介电层上，所述第一钝化层中形成有露出所述顶层互连线顶部的第一开口，所述保护环区的第一开口的开口宽度为第一尺寸；

焊垫层，位于所述第一开口的底部和侧壁、以及所述第一开口两侧第一钝化层的部分顶部，位于所述第一开口底部上的所述焊垫层的厚度为第二尺寸；其中，所述第一尺寸大于或等于1.5倍的所述第二尺寸；

第二钝化层，保形覆盖于所述焊垫层和第一钝化层。