[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

设计布局；

基于所述布局制造光掩模；以及

使用所述光掩模进行光刻工艺以在衬底上形成图案，

其中制造所述光掩模包括：

制备包括第一芯片区域和第二芯片区域的所述光掩模；

分别从所述第一芯片区域和所述第二芯片区域提取第一图像和第二图像；

基于所述第一图像和所述第二图像，生成从其排除所述第一图像和所述第二图像之间的差异区域的初始标准图像；

基于所述布局将正常图像插入到所述初始标准图像的与所述差异区域对应的区域中以生成标准图像；以及

将所述第一图像和所述第二图像中的每个与所述标准图像比较，以检测所述第一芯片区域和所述第二芯片区域中的至少一个中的缺陷。

2.根据权利要求1所述的方法，其中插入所述正常图像包括：

限定所述布局的与所述差异区域对应的第一区域；

搜索所述布局的与所述第一区域相同的另一区域并将所述布局的所述另一区域限定为第二区域；

提取所述初始标准图像的与所述第二区域对应的区域作为补丁；以及

将所述补丁插入到所述初始标准图像的与所述差异区域对应的区域中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一图像和所述第二图像分别是所述第一芯片区域和所述第二芯片区域的光学图像，并通过光掩模检查装置获得，并且其中生成所述初始标准图像包括对所述第一图像和所述第二图像求平均。

4.根据权利要求1所述的方法，其中制造所述光掩模还包括：

通过比较所述第一图像和所述第二图像来限定包括所述第一图像与所述第二图像之间的差异的所述差异区域。

5.根据权利要求4所述的方法，其中限定所述差异区域包括：

在平面图中将所述第一图像和所述第二图像彼此对准以生成重叠图像，其中所述重叠图像包括：重叠区域，包括所述第一图像和所述第二图像的彼此重叠的部分；和所述差异区域，包括所述第一图像和所述第二图像之间的所述差异。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述布局包括第一布局图案和第二布局图案，

其中所述第一布局图案的形状和尺寸分别与所述第二布局图案的形状和尺寸相同，

其中所述初始标准图像包括分别对应于所述第一布局图案和所述第二布局图案的第一图像图案和第二图像图案，

其中所述初始标准图像的与所述差异区域对应的区域位于所述第一图像图案的第一区域中，并且

其中所述正常图像从所述第二图像图案的第二区域提取。

7.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：

设计布局；

基于所述布局制造光掩模；

检查所述光掩模；以及

使用所述光掩模进行光刻工艺以在衬底上形成图案，

其中检查所述光掩模包括：

分别从所述光掩模的第一芯片区域和第二芯片区域提取第一图像和第二图像；

对所述第一图像和所述第二图像求平均以生成包括空白区域的初始标准图像；

提取所述初始标准图像的一区域作为补丁；以及

将所述补丁插入到所述空白区域中以生成标准图像。

8.根据权利要求7所述的方法，其中当将所述第一图像和所述第二图像彼此比较时，所述空白区域对应于包括所述第一图像和所述第二图像之间的差异的区域。

9.根据权利要求8所述的方法，其中检查所述光掩模还包括：

在平面图中将所述第一图像和所述第二图像彼此对准以生成重叠图像，其中所述重叠图像包括：重叠区域，包括所述第一图像和所述第二图像的彼此重叠的部分；和差异区域，包括所述第一图像和所述第二图像之间的所述差异；以及

去除所述初始标准图像的与所述差异区域对应的区域以限定所述空白区域。