[发明专利]制造半导体器件的方法

说明书

本公开提供了制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：设计布局；基于所设计的布局制造光掩模；以及使用光掩模进行光刻工艺以在衬底上形成图案。制造光掩模包括：制备包括第一芯片区域和第二芯片区域的光掩模；分别从第一芯片区域和第二芯片区域提取第一图像和第二图像；对第一图像和第二图像求平均以生成从其排除第一图像与第二图像之间的差异区域的初始标准图像；基于该布局将正常图像插入到初始标准图像的与该差异区域对应的区域中以生成标准图像；以及将第一图像和第二图像中的每个与标准图像比较，以检测第一芯片区域和/或第二芯片区域的缺陷。

技术领域

本发明构思的实施方式涉及制造半导体器件的方法，更具体地，涉及包括检查光掩模的方法的制造半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件由于其小尺寸、多功能特性和/或低制造成本而广泛用于电子产业中。半导体器件可以分为配置为存储逻辑数据的半导体存储器件、配置为处理逻辑数据的半导体逻辑器件、或者具有半导体存储器件和半导体逻辑器件两者的功能的混合半导体器件。随着电子产业的发展，会越来越需要具有改进的特性的半导体器件。例如，会越来越需要高可靠性、高速度和/或多功能的半导体器件。为了满足这些要求，半导体器件会被更高度地集成并且半导体器件的结构会变得越来越复杂。

发明内容

本发明构思的实施方式可以提供制造半导体器件的方法，其能够更有效地检查光掩模的缺陷。

在一方面中，一种制造半导体器件的方法可以包括：设计布局；基于所设计的布局制造光掩模；以及使用所制造的光掩模进行光刻工艺以在衬底上形成图案。制造光掩模可以包括：制备包括第一芯片区域和第二芯片区域的光掩模；分别从第一芯片区域和第二芯片区域提取第一图像和第二图像；对第一图像和第二图像求平均以形成或生成从其排除第一图像与第二图像之间的差异区域的初始标准图像；基于该布局将正常图像插入到初始标准图像的与该差异区域对应的区域中以形成或生成标准图像；以及将第一图像和第二图像中的每个与标准图像比较，以检测第一芯片区域和第二芯片区域中的至少一个中的缺陷。

在一方面中，一种制造半导体器件的方法可以包括：设计布局；基于所设计的布局制造光掩模；检查所制造的光掩模；以及使用该光掩模进行光刻工艺以在衬底上形成图案。检查该光掩模可以包括：分别从光掩模的第一芯片区域和第二芯片区域提取第一图像和第二图像；对第一图像和第二图像求平均以形成或生成包括空白区域的初始标准图像；提取初始标准图像的一区域作为补丁(patch)；以及将所提取的补丁插入到空白区域中以形成或生成标准图像。

在一方面中，一种制造半导体器件的方法可以包括：设计包括第一布局图案和第二布局图案的布局，该第二布局图案具有与第一布局图案相同的形状和尺寸；基于所设计的布局制造包括第一芯片区域和第二芯片区域的光掩模，第一芯片区域和第二芯片区域中的每个包括分别由第一布局图案和第二布局图案形成的第一掩模图案和第二掩模图案；检查所制造的光掩模；以及使用光掩模进行光刻工艺以在衬底上形成图案。检查光掩模可以包括：分别从第一芯片区域和第二芯片区域提取第一图像和第二图像，第一图像和第二图像中的每个包括分别对应于第一掩模图案和第二掩模图案的第一图像图案和第二图像图案；对第一图像和第二图像求平均以形成或生成从其排除第一图像与第二图像之间的差异区域的初始标准图像，该差异区域对应于第一图像图案；提取与初始标准图像的第二图像图案上的一区域对应的补丁；以及将所提取的补丁插入到初始标准图像的与差异区域对应的区域中以形成或生成标准图像。

附图说明

考虑到附图和伴随的详细描述，本发明构思的实施方式将变得更加明显。

图1是示出根据本发明构思的一些实施方式的用于设计和制造半导体器件的方法的流程图。

图2是示出使用根据本发明构思的一些实施方式制造的光掩模的光刻系统的概念图。

图3是示出根据本发明构思的一些实施方式的掩模版(reticle)的平面图。