[发明专利]基板处理系统、基板清洗方法

说明书

本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。

本申请是申请日为2015年7月31日、申请号为2015104636881、发明名称为“基板处理系统、基板清洗方法”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的实施方式涉及基板处理系统、基板清洗方法和存储介质。

背景技术

一直以来，已知有对于附着于硅晶圆、化合物半导体晶圆等基板的微粒进行去除的基板清洗装置。例如，专利文献1中公开了，使用面漆液在基板的表面形成处理膜，并将该处理膜去除，由此将处理膜与基板上的微粒一起去除的基板清洗方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-123704号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，专利文献1记载的方法中，存在如下可能性：例如由于对具有基底膜的基板进行处理的情况下等的作为处理对象的基板，处理膜不会被充分地去除而不能得到高的微粒去除性能。

实施方式的一个形式的目的在于提供能够得到高的微粒去除性能的基板处理系统、基板清洗方法和存储介质。

用于解决问题的方案

实施方式的一个形式中的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。该基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。

发明的效果

通过实施方式的一个形式，能够得到高的微粒去除性能。

附图说明

图1A是本实施方式的基板清洗方法的说明图。

图1B是本实施方式的基板清洗方法的说明图。

图1C是本实施方式的基板清洗方法的说明图。

图1D是本实施方式的基板清洗方法的说明图。

图1E是本实施方式的基板清洗方法的说明图。

图2是表示关于现有的面漆液和本实施方式的成膜处理液由基板去除的去除性的评价结果的图。

图3是表示本实施方式的基板清洗系统的结构的示意图。

图4是表示本实施方式的基板清洗装置的结构的示意图。

图5是表示本实施方式的基板清洗系统所实施的基板清洗处理的处理过程的流程图。

图6是表示使用可溶于碱的成膜处理液时的去除处理的处理过程的流程图。

图7是表示使用难溶于碱的成膜处理液时的去除处理的处理过程的流程图。

图8是表示使用难溶于碱的成膜处理液时的去除处理的变形例(之1)的流程图。

图9是表示使用难溶于碱的成膜处理液时的去除处理的变形例(之2)的流程图。

图10是表示去除处理的变形例的流程图。

图11是表示使用稀释有机溶剂作为剥离处理液时的去除处理的变形例的流程图。