[发明专利]一种检测端粒内氧化性损伤的荧光化学传感器及其检测方法和应用

权利要求书

1.一种检测端粒内氧化性损伤的荧光化学传感器，其特征在于，所述荧光化学传感器至少包括信号探针、捕获探针和辅助探针；

所述信号探针为具有脱嘌呤嘧啶位点的富T单链DNA序列，所述信号探针5'端修饰有生物素，所述信号探针3'端修饰有荧光基团；

所述荧光基团为AF488；

所述信号探针的碱基序列如下：

5'-Biotin- TTT TTT TTT XTT TTT TTT-AF488-3'；

其中X代表脱嘌呤嘧啶位点；

所述捕获探针的碱基序列如下：

CCT AAC CCT AAC CCT AAC CCT TTT-Biotin；

所述辅助探针的碱基序列如下：

5'-CCT AAC CCT AAC CCT AAddC-3'；

所述捕获探针用于捕获富集端粒，其具有与端粒杂交的单链DNA序列，所述捕获探针3'端进行生物素化修饰；

所述辅助探针为3'端用ddC修饰的单链DNA序列，其与单链端粒杂交形成甲酰胺嘧啶[fapy]-DNA糖基化酶的dsDNA底物。

2.如权利要求1所述的检测端粒内氧化性损伤的荧光化学传感器，其特征在于，所述信号探针与链霉抗生物素蛋白包被的磁珠进行缀合。

3.如权利要求1所述的检测端粒内氧化性损伤的荧光化学传感器，其特征在于，所述荧光化学传感器还包括甲酰胺嘧啶 [fapy]-DNA糖基化酶、末端脱氧核苷酸转移酶TdT、核酸内切酶IV和T4-多核苷酸激酶。

4.如权利要求1-3任一项所述的检测端粒内氧化性损伤的荧光化学传感器，其特征在于，所述端粒内氧化性损伤包括8-oxoG损伤。

5.基于权利要求1-4任一项所述荧光化学传感器检测端粒内氧化性损伤的方法，其特征在于，所述方法包括：

S1、用dsDNA片段酶消化提取基因组DNA；

S2、加入捕获探针和链霉抗生物素蛋白包被的磁珠孵育处理；

S3、加入TdT进行孵育处理；

S4、加入辅助探针、甲酰胺嘧啶 [fapy]-DNA糖基化酶进行孵育处理；

S5、加入TdT、核酸内切酶IV和磁珠偶联信号探针进行孵育处理；

S6、磁分离后，对上清液进行单分子检测；

不以疾病的诊断和治疗为目的。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中，孵育处理条件为于90~100℃温育3~8分钟。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述孵育处理条件为于95℃温育5分钟。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤S3中，孵育处理过程中还加入ddCTP；

孵育处理条件为于30~40℃孵育20~40分钟。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述孵育处理条件为于37℃孵育30分钟。

10.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤S4中，孵育处理条件为30~40℃下孵育40~80分钟。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，孵育处理条件为37℃下孵育60分钟。

12.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤S5中，孵育处理条件为30~40℃下孵育40~80分钟。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，孵育处理条件为37℃下孵育60分钟。