[发明专利]具有由框架结构限定的功能结构的装置及其制造方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

基于半导体的基板(12)，具有构造在所述基于半导体的基板(12)中或构造在所述基于半导体的基板上的功能结构；

框架结构(16)，围绕所述功能结构(14)；

涂层(22)，覆盖所述功能结构(14)并且由所述框架结构(16)限定。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述涂层(22)完全覆盖所述框架结构(16)的内部区域(24)。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述涂层(22)均匀地形成。

4.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述框架结构(16)布置在一个基板侧上，其中所述框架结构(16)相对于基板表面(28)凸起。

5.根据权利要求4所述的装置，其中所述框架结构(16)具有至少10nm且至多1000μm的高度(h)。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中所述框架结构(16)布置在一个基板侧上，其中所述框架结构形成在所述基板侧中的沟槽(26)。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述框架结构(16)具有至少10nm且至多1000μm的深度(h)。

8.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述涂层(22)包括亲水涂层材料，并且其中所述框架结构(16)包括疏水材料。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的装置，其中所述涂层(22)包括疏水涂层材料，并且其中所述框架结构(16)包括亲水材料。

10.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述框架结构(16)包括位于所述框架结构(16)的内侧(32₂)与所述框架结构(16)的外侧(32₁)之间的框架宽度(28)，所述框架宽度(28)具有至少10nm且至多10mm的尺寸。

11.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述框架结构(16)被构造为导电的。

12.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述框架结构(16)至少包括第一层和第二层。

13.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述功能结构(16)包括电极结构。

14.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述涂层(22)包括纳米材料，特别是碳纳米材料。

15.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述涂层(22)至少包括第一层(22-1)和第二层(22-2)。

16.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述框架结构(16)包括可结构化材料。

17.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述功能层(14)提供导电功能，和/或提供防止机械影响和/或化学影响的保护功能。

18.根据前述权利要求中任一项所述的装置，所述装置被构造为化学传感器和晶体管之一。

19.一种用于制造结构的方法(1000)，包括以下步骤：

提供(1010)具有功能结构的基于半导体的基板，所述功能结构布置在所述基于半导体的基板中或布置在所述基于半导体的基板上；

布置(1020)框架结构，使得所述框架结构围绕所述功能结构；

布置(1030)涂层，使得所述涂层覆盖所述功能结构并且由所述框架结构限定。