[发明专利]沉积装置

说明书

公开了沉积装置。本发明提供一种沉积装置，用于在基板上形成膜，特征在于包含：被配置为使靶材绕旋转轴旋转的旋转部；被配置为产生电弧放电的撞击件；被配置为驱动撞击件以在产生电弧放电时获得靶材的旋转轴周围的侧表面与撞击件彼此接近的接近状态的驱动部，以及被配置为控制通过旋转部的靶材的旋转以改变接近状态下靶材的面向撞击件的侧表面的面向位置的控制部。

本申请是申请号为201480075404.5，申请日为2014年11月14日，题为“沉积装置”的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及在基板上形成膜的沉积装置。

背景技术

在形成硬盘等的媒体的保护膜的方法方面，有利用乙炔(C₂H₂)或乙烯(C₂H₄)等的反应性气体的CVD(化学气相沉积)法。近年来，为了进一步缩小磁读头与媒体的磁记录层之间的距离和磁头浮起量而提升驱动特性，要求使形成于磁记录层上的碳等的保护膜(碳保护膜)更薄。

另一方面，以CVD法而形成的碳保护膜，由于其特性，据说膜厚的极限为2nm～3nm。所以，作为代替CVD法、可形成更薄的保护膜的技术，注意到了采用电弧放电的沉积方法(真空电弧沉积法：Vacuum Arc Deposition)(参考专利文献1及2)。真空电弧沉积法，与CVD法相比，含氢量少，可形成更硬的碳保护膜，故有能够使膜厚薄至1nm程度的可能性。

在公开于专利文献1的真空电弧沉积法中，使由石墨所形成的靶材为阴极，在靶材与配置于靶材的附近的阳极之间进行电弧放电从而产生ta-C膜所需的碳离子。通过使连接到阳极的撞击件接近或接触靶材而产生电弧放电。

在这样的真空电弧沉积法中，在一般情况下，使用圆柱状的靶材，使撞击件接触该靶材的上表面的中央部的附近而产生电弧放电。靶材的上表面的撞击件所接触的位置(产生电弧放电的位置)被磨削而成为凹处(电弧点)。因此，使靶材旋转而改变与撞击件的接触位置，从而平均化电弧点所导致的靶材的凹凸。采用圆柱状的靶材的情况下，于靶材的上表面的外周部分产生电弧点时，沉积速率变动。因此，优选仅在靶材的上表面的中央部中产生电弧点。其中，如果不在靶材的上表面的外周部分中产生电弧点，则靶材的上表面的外周部分变得不会被磨削而残留。所以，专利文献2提出了当靶材的上表面的电弧点(凹处)变成大至某程度时将靶材的上表面用磨器等磨削从而平坦化的技术。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：国际公开第96/26531号小册

专利文献2：日本发明专利公开2009-242929号公报

发明内容

[技术问题]

然而，将靶材的上表面磨削导致将可作为靶材的一部分去除。因此这在提升靶材的利用效率方面成为阻碍。此外，在现有技术中，需要将磨削靶材的上表面的步骤编入沉积程序中，导致产量降低。再者，靶材的研磨粉可能进入使靶材旋转的旋转装置(的驱动部)，导致旋转装置的故障。

本发明，鉴于如此的现有技术的课题而作出，以作为例示性目的提供在不磨削靶材的情况下在使靶材的利用效率提升方面有利的沉积装置。

[解决问题的技术手段]

根据本发明的一方面，提供一种在基板上形成膜的沉积装置，包含：旋转部，被配置为使靶材绕旋转轴旋转；撞击件，被配置为产生电弧放电；驱动部，被配置为驱动撞击件以形成靶材的旋转轴周围的侧表面与撞击件接近的接近状态从而产生电弧放电；和控制部，被配置为控制靶材的通过旋转部的旋转，以改变在接近状态下靶材的面向撞击件的侧表面的面向位置。

本发明的进一步的目的或其他方面将因参照附图而说明的优选实施例而明朗化。

[发明的有利效果]