[发明专利]法拉第杯组件、离子注入装置及其使用方法在审
申请号: | 201910485014.X | 申请日: | 2019-06-05 |
公开(公告)号: | CN112053928A | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 王东 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01J37/244 | 分类号: | H01J37/244;H01J37/317 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 法拉第 组件 离子 注入 装置 及其 使用方法 | ||
本公开提供一种法拉第杯组件、离子注入装置及其使用方法,涉及半导体技术领域。该法拉第杯组件包括基座、法拉第杯、保护环和多个连接件。基座具有一设有安装槽的安装面,安装槽的底面设有至少一个安装孔;法拉第杯呈圆环状且设于安装槽的底面,法拉第杯设有沿周向延伸的圆环形的杯腔,杯腔具有朝向安装槽顶部的开放端,杯腔底部设有多个沿周向均匀分布的固定孔;保护环设于安装面且遮蔽安装槽,保护环在开放端的投影覆盖杯腔,保护环设有多个周向分布的圆弧形的狭缝,狭缝和固定孔满足以下条件:其中,n为狭缝的数量,c为狭缝所处圆周的周长,L为狭缝的弧长,m为固定孔的数量。连接件可拆卸地连接于安装孔,且穿过与安装孔正对的固定孔。
技术领域
本公开涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种法拉第杯组件、离子注入装置及离子注入装置的使用方法。
背景技术
在半导体领域,离子注入技术的应用十分广泛,其可将改变导电性的杂质引入晶圆,以改善产品性能。目前,通常利用离子注入设备生成离子束,并向晶圆轰击,其中,为了检测离子的入射强度,一般要将离子束引入法拉第杯,并通过法拉第杯检测电流变化,从而确定离子束的入射强度。
但是,离子束长时间打到法拉第杯的同一区域,会将该区域打薄,甚至打穿,使得法拉第杯测量的电流不准确,导致晶圆电性的偏差,影响产品良率。若频繁检查并更换法拉第杯,则成本较高。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种法拉第杯组件、离子注入装置及离子注入装置的使用方法,可降低成本,提升产品良率。
根据本公开的一个方面,提供一种法拉第杯组件,包括:
基座,所述基座具有一安装面,所述安装面设有安装槽,所述安装槽的底面设有至少一个安装孔;
法拉第杯,呈圆环状,且设于所述安装槽的底面,所述法拉第杯设有沿周向延伸的圆环形的杯腔,所述杯腔具有朝向所述安装槽顶部的开放端,所述杯腔底部设有多个沿周向均匀分布的固定孔,每个所述安装孔与一个所述固定孔正对;
保护环,设于所述安装面且遮蔽所述安装槽,并与所述法拉第杯同轴设置,所述保护环在所述开放端的投影覆盖所述杯腔,所述保护环设有多个周向均匀分布的圆弧形的狭缝,所述狭缝与所述杯腔连通,所述狭缝和所述固定孔满足以下条件:
其中,n为所述狭缝的数量,c为所述狭缝所处圆周的周长,L为所述狭缝的弧长,m为所述固定孔的数量;
连接件,可拆卸地连接于所述安装孔,且穿过与所述安装孔正对的固定孔。
在本公开的一种示例性实施例中,所述狭缝和所述固定孔还满足以下条件:
m=2n。
在本公开的一种示例性实施例中,所述连接件具有外螺纹,且与对应的所述安装孔螺纹连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述法拉第杯组件还包括:
多个接头,设于所述杯腔的底部,且沿周向分布,相邻两个所述接头的圆心角与相邻两所述固定孔的圆心角相同。
在本公开的一种示例性实施例中,所述狭缝的数量为四个,所述固定孔的数量为八个。
在本公开的一种示例性实施例中,所述法拉第杯组件还包括:
测距器件,设于所述保护环靠近所述法拉第杯的表面,且位于所述杯腔内,所述测距器件位于相邻两所述狭缝之间,用于检测所述测距器件与所述杯腔底部的距离;
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