[发明专利]一种N型硅片少子寿命的测试方法在审
| 申请号： | 201910486671.6 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110310899A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 席珍珍 | 申请（专利权）人： | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H02S50/15 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 710099 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 少子寿命 测试 清洗 抛光处理 热氧化处理 太阳能级硅 氮化硅膜 硅片表面 金属杂质 酸溶液 油污 钝化 附着 去除 | ||
【权利要求书】：
1.一种N型硅片少子寿命的测试方法，其特征在于，它包括如下步骤：
(1)将厚度为160μm-200μm的原生N型硅片用NaOH进行抛光处理；
(2)将抛光处理后的硅片置于HF酸溶液中清洗；
(3)将清洗后的硅片进行RCA清洗，去除硅片表面附着的颗粒、油污和金属杂质；
(4)将清洗后的硅片进行热氧化处理；
(5)将硅片镀一层氮化硅膜；
(6)上述样片利用μ-PCD法进行少子寿命测试。
2.如权利要求1所述的N型硅片少子寿命的测试方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述HF酸溶液的配比为：氢氟酸：去离子水(V/V)＝1：(30-60)，漂洗时间为5-20s。
3.如权利要求1所述的N型硅片少子寿命的测试方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述热氧化处理的温度为800-1100℃，时间为5-10min。
4.如权利要求1所述的N型硅片少子寿命的测试方法，其特征在于，在步骤(5)中，所述氮化硅膜的厚度为40-100nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
