[发明专利]一种N型硅片少子寿命的测试方法

说明书

本发明的目的在于公开一种N型硅片少子寿命的测试方法，它包括如下步骤：(1)将厚度为160μm‑200μm的原生N型硅片用NaOH进行抛光处理；(2)将抛光处理后的硅片置于HF酸溶液中清洗；(3)将清洗后的硅片进行RCA清洗，去除硅片表面附着的颗粒、油污和金属杂质；(4)将清洗后的硅片进行热氧化处理；(5)将硅片镀一层氮化硅膜；(6)上述样片利用μ‑PCD法进行少子寿命测试；与现有技术相比，通过上述步骤，对厚度为160‑200μm的N型太阳能级硅硅片钝化后，硅片的少子寿命大大提高，少子寿命测试值更接近于实际值，提高了测试精度，实现本发明的目的。

技术领域

本发明涉及一种寿命测试方法，特别涉及一种N型硅片少子寿命的测试方法。

背景技术

少数寿命是表征晶体硅片质量的重要参数之一。晶体硅片少子寿命直接影响着太阳能电池的转换效率，同时通过测量晶体硅片的少子寿命评价原材料质量和控制工艺过程。

常用的测量晶体硅片的方法有：微波光电导衰减(μ-PCD)、准稳态光电导法(QSSPC)、表面光电压法(SPV)、IR浓度载流子浓度成像(CDI)和调制自由载流子吸收(MFCA)等方法。其中，微波光电导衰减法(μ-PCD)由于操作简单且测试精度满足要求而被广泛应用。

由于晶体硅片的表面钝化质量直接会影响最终的测量值，因而，晶体硅片通常都要经过表面钝化处理后再进行少子寿命测量，通常采用的方法有场钝化和化学钝化。化学钝化是利用H或卤素元素对硅片表面悬挂键进行饱和，从而降低表面复合速率；场钝化则利用介质膜中的固定电荷形成电场屏蔽效应来降低表面复合速率。常用的场钝化介质膜有：SiOx，SixNy，a-Si:H等，化学钝化利用HF溶液，碘酒(I2/CH3OH)溶液等对硅片表面进行钝化。

目前，产线对P型晶体硅片一般采用微波光电导衰减法对碘酒钝化后的裸硅片直接进行测试，但是此方法并不适用于N型太阳能级硅片。随着光伏产业的发展，N型高效太阳能电池成为主流方向。目前，主流高效太阳能电池(如背接触电池，异质结电池等)都要求晶硅衬底有较高的少子寿命，因而如何对N型晶硅衬底的少子寿命进行评估，保证电池的高转换效率成为亟待解决的一个问题。

因此，特别需要一种N型硅片少子寿命的测试方法，以解决上述现有存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种N型硅片少子寿命的测试方法，针对现有技术的不足，少子寿命测试值更接近于实际值，提高了测试精度。

本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：

一种N型硅片少子寿命的测试方法，其特征在于，它包括如下步骤：

(1)将厚度为160μm-200μm的原生N型硅片用NaOH进行抛光处理；

(2)将抛光处理后的硅片置于HF酸溶液中清洗；

(3)将清洗后的硅片进行RCA清洗，去除硅片表面附着的颗粒、油污和金属杂质；

(4)将清洗后的硅片进行热氧化处理；

(5)将硅片镀一层氮化硅膜；

(6)上述样片利用μ-PCD法进行少子寿命测试。

在本发明的一个实施例中，在步骤(2)中，所述HF酸溶液的配比为：氢氟酸：去离子水(V/V)＝1：(30-60)，漂洗时间为5-20s。

在本发明的一个实施例中，在步骤(4)中，所述热氧化处理的温度为800-1100℃，时间为5-10mi n。

在本发明的一个实施例中，在步骤(5)中，所述氮化硅膜的厚度为40-100nm。