[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的叠层，其特征在于，所述叠层包括依次层叠设置的电子传输层、界面修饰层以及量子点发光层，所述电子传输层靠近阴极设置，所述量子点发光层靠近阳极设置，所述界面修饰层材料选自PFN以及PFN衍生物中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面修饰层材料的LUMO能级大于量子点发光层材料的LUMO能级且小于电子传输层材料的LUMO能级。

3.根据权利要求1-2任一所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述PFN衍生物选自PFN-Br、PFN-I、PFN-OH、PF-EP、PC-P、PF6NO、PFN-S、PFN-OX、PFPE-OH、PFBT-OH、PFNSO、PFNSO-TPA和PFNSO-BT中的一种或多种。

4.根据权利要求1-2任一所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层材料选自ZnO、TiO₂、BaTiO₃、掺铝氧化锌、掺锂氧化锌、和掺镁氧化锌中的一种或多种。

5.根据权利要求1-2任一所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层材料选自于II-VI族化合物、III-V族化合物和II-III-VI族化合物中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面修饰层的厚度为0.1-5nm。

7.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层材料为CdSe/ZnS核壳量子点，电子传输层材料为掺铝氧化锌，所述界面修饰层材料选自PFN、PFN-Br、PFN-I和PFN-OH中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，在所述阳极和叠层之间还设置有空穴功能层，所述空穴功能层为空穴传输层和/或空穴注入层。

9.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

在含有阴极的基板上沉积电子传输层；

在电子传输层上沉积界面修饰层，所述界面修饰层材料选自PFN以及PFN衍生物中的一种或多种；

在界面修饰层上沉积量子点发光层；

在量子点发光层上制备阳极，制得所述量子点发光二极管；

或者，在含有阳极的基板上沉积量子点发光层；

在量子点发光层上沉积界面修饰层，所述界面修饰层材料选自PFN以及PFN衍生物中的一种或多种；

在界面修饰层上沉积电子传输层；

在电子传输层上制备阴极，制得所述量子点发光二极管。

10.根据权利要求9所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，在电子传输层上沉积界面修饰层后，在90-100℃的条件下对所述界面修饰层进行退火处理；

或者，在量子点发光层上沉积界面修饰层后，在90-100℃的条件下对所述界面修饰层进行退火处理。