[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述量子点发光二极管包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的叠层，所述叠层包括层叠设置的电子传输层、界面修饰层以及量子点发光层，所述电子传输层靠近阴极设置，所述量子点发光层靠近阳极设置，所述界面修饰层材料选自PFN以及PFN衍生物中的一种或多种。本发明通过在量子点发光层和电子传输层之间设置界面修饰层，可有效提高量子点发光层与电子传输层之间的导电性以及成膜均匀性，从而改善量子点发光二极管的发光效率并提升其使用寿命。

技术领域

本发明涉及量子点领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

量子点电致发光作为一种新型的固态照明技术，具有低成本、重量小、响应速度快、色彩饱和度高等优点，其拥有广阔的发展前景，已成为新一代LED照明的重要研究方向之一。

现有量子点发光二极管（QLED）的主要结构通常包括阴极、阳极、空穴/电子传输层以及量子点发光层，由于各层材料的选择和制备流程的优化还不够完善，使得现有量子点发光二极管的发光效率和寿命稳定性还不能够满足生产要求。

因此，现有技术还有待于改进。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决由于现有量子点发光二极管的发光效率较低以及寿命稳定性较差的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的叠层，其中，所述叠层包括依次层叠设置的电子传输层、界面修饰层以及量子点发光层，所述电子传输层靠近阴极设置，所述量子点发光层靠近阳极设置，所述界面修饰层材料选自PFN以及PFN衍生物中的一种或多种。

一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：

在含有阴极的基板上沉积电子传输层；

在电子传输层上沉积界面修饰层，所述界面修饰层材料选自PFN以及PFN衍生物中的一种或多种；

在界面修饰层上沉积量子点发光层；

在量子点发光层上制备阳极，制得所述量子点发光二极管；

或者，在含有阳极的基板上沉积量子点发光层；

在量子点发光层上沉积界面修饰层，所述界面修饰层材料选自PFN以及PFN衍生物中的一种或多种；

在界面修饰层上沉积电子传输层；

在电子传输层上制备阴极，制得所述量子点发光二极管。

有益效果：本发明提供的量子点发光二极管包括设置在量子点发光层和电子传输层之间的界面修饰层，所述界面修饰层可有效提高量子点发光层与电子传输层之间的导电性以及成膜均匀性，从而改善量子点发光二极管的发光效率并提升其使用寿命。

附图说明

图1为本发明一种量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图。

图2为本发明一种量子点发光二极管的制备方法较佳实施例的流程图。

图3为本发明实施例1中量子点发光二极管的结构示意图。

图4为本发明实施例2中量子点发光二极管的结构示意图。

具体实施方式

本发明提供一种量子点发光二极管及其制备方法的制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。