[发明专利]阵列基板及制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

步骤S10：提供基板，在所述基板上沉积形成金属层；

步骤S20：图案化所述金属层，形成金属走线；以及

步骤S30：将所述基板放置于真空腔室，进行热处理制程，对所属金属走线进行重结晶处理。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金属层的材料包括Cu、Al或Mo或者Cu、Al和Mo中任意两种或两种以上金属的合金。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金属层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置于所述基板上，所述第二金属层设置于所述第一金属层远离所述基板的一侧上。

4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一金属层的材料为Mo，所述第一金属层的厚度范围为100A～1000A，所述第二金属层的材料为Cu，所述第二金属层的厚度范围为1000A～10000A。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S30中，热处理所述基板的温度范围为200℃～450℃。

6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S30中，热处理所述基板的时间范围为5分钟～300分钟。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

步骤S40：在所述金属层上依次沉积形成栅极绝缘层和半导体层；

步骤S50：在所述半导体层上沉积形成源漏电极层，并图案化所述源漏电极层以形成源电极和漏电极；

步骤S60：将所述基板放置于真空腔室，进行热处理制程，对所述源电极和所述漏电极进行重结晶处理；以及

步骤S70：在所述源电极、所述漏电极以及所述半导体层上沉积形成保护层以及像素电极层。

8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S10中，沉积所述金属层的方法为物理气相沉积。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

栅极线层，所述栅极线层设置于所述基板上；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述基板上并覆盖所述栅极线层；

半导体层，所述半导体层设置于所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧上；以及

源漏电极层，所述源漏电极层设置于所述半导体层远离所述基板的一侧上；

其中，所述栅极线层和所述源漏电极层的材料均为导电金属材料，所述栅极线层为重结晶处理栅极线层，且所述源漏电极层为重结晶处理源漏电极层。

10.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极线层和所述源漏电极层的材料均包括Cu、Al或Mo或者Cu、Al和Mo中任意两种或两种以上金属的合金。