[发明专利]一种基板在审
| 申请号： | 201910491381.0 | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN110265347A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 黄远科 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 膜层 第一膜层 目标图案 设置区域 突起结构 膜收缩 基板 拉裂 产品性能 堆叠位置 基板膜层 裂痕延伸 膜层边缘 设置方式 形变 图案化 裂痕 堆叠 缓解 | ||
1.一种基板，其特征在于，包括：
第一膜层；
第二膜层；
第三膜层；
所述第一膜层形成在所述第三膜层上，并图案化形成目标图案；
所述第二膜层形成在所述第三膜层和所述第一膜层上，在所述目标图案的设置区域内，所述第二膜层与所述第一膜层堆叠；
其中，所述第二膜层的膜收缩率小于所述第一膜层的膜收缩率，在所述目标图案的设置区域内，所述第一膜层的膜层边缘形成有朝向所述第二膜层的突起结构。
2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第一膜层在堆叠所述第二膜层的膜层边缘上，都形成有所述突起结构。
3.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，在一个目标图案的设置区域内，所述第一膜层形成有至少三个突起结构。
4.根据权利要求3所述的基板，其特征在于，相邻突起结构之间的距离，大于所述突起结构宽度的三倍。
5.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述突起结构的截面为矩形、梯形、弧形中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第一膜层的材料为有机材料，所述第二膜层的材料为无机材料。
7.根据权利要求6所述的基板，其特征在于，所述基板为彩膜基板，所述第一膜层为彩膜层和/或有机平坦化层，所述第二膜层为透明公共电极层。
8.根据权利要求6所述的基板，其特征在于，所述基板为阵列基板，所述第一膜层为彩膜层，所述第二膜层为金属层。
9.根据权利要求8所述的基板，其特征在于，所述第一膜层图案化形成过孔或者凹槽。
10.根据权利要求6所述的基板，其特征在于，所述基板为阵列基板，所述第一膜层为有机高分子材料层，所述第二膜层为透明公共电极层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
