[发明专利]用于真空处理设备的内衬装置和真空处理设备

说明书

一种用于真空处理设备的内衬装置和真空处理设备，其中，用于真空处理设备的内衬装置包括：环形内衬，所述环形内衬包括相互连接的侧壁保护环和承载环，所述承载环的外径大于侧壁保护环的外径，所述环形内衬围成一个处理空间；位于所述承载环内的气体通道，所述气体通道与所述处理空间连通。所述用于真空处理设备的内衬装置的性能较好。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其设计一种用于真空处理设备的内衬装置和真空处理设备。

背景技术

半导体器件的生产过程中需要在各种各样的半导体生产设备中完成，其中，半导体生产设备包括真空处理设备，所述真空处理设备是指在真空或者减压状态下处理半导体基片的处理设备。常见的所述真空处理设备包括干法刻蚀设备或沉积成膜设备。所述真空处理设备包括真空腔和位于真空腔顶部表面和部分侧壁的内衬装置，所述内衬装置用于对真空腔的内侧壁进行保护，防止真空腔的内侧壁被腐蚀。所述真空处理设备使用一段时间后，所述内衬装置不再满足工艺要求，需更换所述内衬装置。

然而，现有内衬装置的性能较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种用于真空处理设备的内衬装置和真空处理设备，以提高用于真空处理设备的内衬装置的性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种用于真空处理设备的内衬装置，包括：环形内衬，所述环形内衬包括相互连接的侧壁保护环及承载环，所述承载环的外径大于侧壁保护环的外径，所述环形内衬围成一个处理空间；位于所述承载环内的气体通道，所述气体通道与所述处理空间连通。

可选的，所述气体通道包括：位于承载环内的进气口；位于所述承载环内的第一气体扩散槽，所述第一气体扩散槽与进气口连通；位于所述承载环内的出气口，所述出气口与第一气体扩散槽和处理空间连通。

可选的，当所述第一气体扩散槽的个数为1个时，所述第一气体扩散槽包围所述处理空间。

可选的，当所述第一气体扩散槽的个数大于1个时，每一个第一气体扩散槽中心到处理空间中心的距离相等，多个第一气体扩散槽之间相互分立，多个所述第一气体扩散槽环绕所述处理空间，且每一个第一气体扩散槽与至少一个第一进气口和至少一个第一出气口连通。可选的，所述气体通道还包括：位于所述承载环内的第二气体扩散槽，所述第二气体扩散槽包围第一气体扩散槽；连通第一气体扩散槽与第二气体扩散槽的连接槽。

可选的，当所述第二气体扩散槽的个数大于1个，所述大于1个的第二气体扩散槽中心到处理空间中心的距离相等，多个第二气体扩散槽相互分立；所述第二气体扩散槽与进气口连通。

可选的，所述气体通道还包括：包围第二气体扩散槽的第三气体扩散槽，所述第三气体扩散槽与第二气体扩散槽连通。

可选的，所述第一气体扩散槽与第二气体扩散槽沿第一方向排布；所述第三气体扩散槽的个数大于1个，所述大于1个的第三气体扩散槽沿第一方向依次排布，所述大于1个的第三气体扩散槽中到处理空间中心距离最远的第三气体扩散槽连接进气口。

可选的，还包括：位于所述环形内衬与处理空间接触面上的涂层；所述涂层的材料包括：氧化钇、三氧化铝、聚四氟乙烯或者聚酰亚胺。

可选的，还包括：位于所述承载环内的加热槽，所述加热槽环绕所述处理空间，所述加热槽用于放置加热器，所述加热器用于对环形内衬进行加热。

可选的，所述承载环顶部表面暴露出第一气体扩散槽和加热槽；所述承载环的外侧壁暴露出第一进气口。

可选的，所述承载环顶部表面暴露出第一气体扩散槽；所述承载环的外侧壁暴露出第一进气口和加热槽。

可选的，还包括：与侧壁保护环底部连接的等离子体约束装置，所述等离子体约束装置的内径小于侧壁保护环的内径，所述等离子体约束装置具有若干贯穿等离子体约束装置的扩散口，所述扩散口与处理空间连通。