[发明专利]一种Micro-LED的转移方法有效
申请号: | 201910497258.X | 申请日: | 2019-06-10 |
公开(公告)号: | CN110190014B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 王莉莉;汪楚航;刘超;崔强伟;孟柯;龚林辉 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L27/15 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 micro led 转移 方法 | ||
1.一种Micro-LED的转移方法,其特征在于,包括:
提供一供体基板;所述供体基板包括承载基板以及位于所述承载基板上阵列排布的多个LED晶粒;
提供一粘贴基板;所述粘贴基板包括底板以及设置在所述底板上的热熔胶膜;所述热熔胶膜为设置在所述底板上的一整层;
将所述粘贴基板移动至所述供体基板的上方,并向靠近所述供体基板的方向移动所述粘贴基板,利用所述粘贴基板一次性粘贴所述承载基板上的多个LED晶粒,以使所述多个LED晶粒与所述承载基板分离;
将粘贴有所述多个LED晶粒的所述粘贴基板移动至目标基板的上方,所述多个LED晶粒相对于所述粘贴基板靠近所述目标基板,并进行对位使所述多个LED晶粒与所述目标基板上待设置所述多个LED晶粒的位置正对;
将粘贴有所述多个LED晶粒的所述粘贴基板加热至第一温度,以使所述热熔胶膜熔化,所述多个LED晶粒与所述粘贴基板分离,所述多个LED晶粒转移至所述目标基板上;所述第一温度大于或等于所述热熔胶膜的熔化温度;
所述底板包括多个通孔,所述热熔胶膜覆盖所述通孔;
所述将所述粘贴基板移动至所述供体基板的上方,并向靠近所述供体基板的方向移动所述粘贴基板,利用所述粘贴基板一次性粘贴所述承载基板上的多个LED晶粒,包括:
将所述粘贴基板移动至所述供体基板的上方,并进行对位,以使一个所述LED晶粒与所述底板上的一个所述通孔正对,向靠近所述供体基板的方向移动所述粘贴基板,利用所述粘贴基板一次性粘贴所述承载基板上的所述多个LED晶粒。
2.根据权利要求1所述的Micro-LED的转移方法,其特征在于,所述通孔的尺寸大于所述LED晶粒的尺寸;
所述将所述粘贴基板移动至所述供体基板的上方,包括:将所述粘贴基板移动至所述供体基板的上方,且所述底板相对于所述热熔胶膜靠近所述LED晶粒。
3.根据权利要求1所述的Micro-LED的转移方法,其特征在于,所述目标基板上待设置所述LED晶粒的位置处设置有导电胶;
在所述多个LED晶粒与所述目标基板上待设置所述LED晶粒的位置正对之后,将粘贴有所述多个LED晶粒的所述粘贴基板加热至第一温度之前,所述Micro-LED的转移方法还包括:
将粘贴有所述多个LED晶粒的所述粘贴基板与所述目标基板压合,以使所述多个LED晶粒的电极与所述目标基板上的所述导电胶连接。
4.根据权利要求3所述的Micro-LED的转移方法,其特征在于,所述多个LED晶粒转移至所述目标基板上之后,所述Micro-LED的转移方法还包括:
将所述目标基板加热至第二温度;所述第二温度大于或等于所述导电胶的熔化温度。
5.根据权利要求3或4所述的Micro-LED的转移方法,其特征在于,所述导电胶为锡膏。
6.根据权利要求4所述的Micro-LED的转移方法,其特征在于,所述将所述目标基板加热至第二温度之后,所述Micro-LED的转移方法还包括:
对所述目标基板进行降温,使流入到相邻所述LED晶粒之间的热熔胶固化。
7.根据权利要求1所述的Micro-LED的转移方法,其特征在于,所述多个LED晶粒转移至所述目标基板上之后,所述Micro-LED的转移方法还包括:
在所述LED晶粒远离所述目标基板的一侧形成透明的保护膜。
8.根据权利要求7所述的Micro-LED的转移方法,其特征在于,在所述LED晶粒远离所述目标基板的一侧形成透明的保护膜,包括:
利用雾化喷射工艺在所述LED晶粒远离所述目标基板的一侧形成透明的所述保护膜。
9.根据权利要求1所述的Micro-LED的转移方法,其特征在于,所述目标基板为电路基板。
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