[发明专利]部件承载件及制造该部件承载件的方法有效
申请号: | 201910498454.9 | 申请日: | 2019-06-10 |
公开(公告)号: | CN110581078B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 约翰尼斯·施塔尔;杰拉尔德·魏丁格尔;格哈德·施密德;安德里亚斯·兹鲁克 | 申请(专利权)人: | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/522;H01L23/528;H01L25/16;H05K1/18;H05K3/46 |
代理公司: | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人: | 魏彦;洪玉姬 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 部件 承载 制造 方法 | ||
1.一种制造部件承载件(100)的方法,所述方法包括:
提供临时承载件(105);
提供具有窄凹部(152)的至少部分未固化的电绝缘层结构(112),所述至少部分未固化的电绝缘层结构(112)附接到所述临时承载件(105);
提供包括至少一个电绝缘层结构(122)和/或至少一个导电层结构(123)的层叠置件,所述层叠置件具有宽凹部(154);
至少在所述窄凹部(152)内布置阶梯式部件组件(160);以及
通过使所述至少部分未固化的电绝缘层结构(112)固化来将所述至少部分未固化的电绝缘层结构(112)与所述层叠置件连接,使得所述阶梯式部件组件(160)布置在由所述窄凹部(152)和所述宽凹部(154)所限定的阶梯式腔(150)内。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,
所述层叠置件的至少一个电绝缘层结构包括另外的至少部分未固化的电绝缘层结构(124)。
3.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,还包括:
在将所述阶梯式部件组件(160)布置于所述阶梯式腔(150)内之后、并且在将所述至少部分未固化的电绝缘层结构(112)与所述层叠置件连接之前,
通过使至少部分未固化的电绝缘材料流(M)至少部分地围绕所述阶梯式部件组件(160)这样的方式,对包括所述临时承载件(105)、所述至少部分未固化的电绝缘层结构(112)和所述层叠置件的整个结构进行层压。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,还包括:
从包括先前至少部分未固化的电绝缘层结构(112)和所述层叠置件的经连接的结构(130)移除所述临时承载件(105)。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,还包括:
在(i)所述临时承载件(105)与(ii)具有所述窄凹部(152)的所述至少部分未固化的电绝缘层结构(112)之间设置单一导电层结构(113),其中,特别地,所述单一导电层结构(113)具有与所述窄凹部(152)在空间上并存的开口(113a)。
6.一种部件承载件(100),包括:
层叠置件(130),所述层叠置件(130)包括至少两个电绝缘层结构(112、122)和/或至少一个导电层结构(113、123)且包括位于所述层叠置件(130)内的阶梯式腔(150),所述阶梯式腔(150)具有宽凹部(154)和窄凹部(152);以及
布置在所述阶梯式腔(150)内的阶梯式部件组件(160);
其中,所述阶梯式部件组件(160)被完全固化的电绝缘材料(M)基本上完全地在周向围绕,所述完全固化的电绝缘材料(M)源自于所述至少两个电绝缘层结构(112、122、124)中的至少一个电绝缘层结构(112)。
7.根据权利要求6所述的部件承载件(100),其中,
所述阶梯式部件组件(160)被另外的完全固化的电绝缘材料(M)基本上完全地在周向围绕,所述另外的完全固化的电绝缘材料(M)源自于所述至少两个电绝缘层结构(112、122、124)中的至少一个另外的电绝缘层结构(124)。
8.一种制造部件承载件(200a、200b)的方法,所述方法包括:
提供包括至少一个电绝缘层结构(212、222)和/或至少一个导电层结构(213)的层叠置件(210);
在所述层叠置件(210)内形成阶梯式腔(250),所述阶梯式腔(250)由窄凹部(252)和宽凹部(254)限定,其中,所述宽凹部(254)是通过在所述层叠置件(210)中加入非粘合材料(280)并且将所述非粘合材料(280)上方的所述层叠置件(210)的一部分移除而形成的;以及
在所述阶梯式腔(150)内嵌入阶梯式部件组件(260)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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