[发明专利]发光元件及其制造方法

说明书

本发明公开一种发光元件及其制造方法，该制造方法包括提供第一基板；提供半导体叠层在第一基板上，将半导体叠层经图形化形成彼此分割的多个半导体叠层块，多个半导体叠层块包括第一半导体叠层块、第二半导体叠层块及第三半导体叠层块；提供永久基板，包含第一表面及第二表面；实行分离步骤将第一半导体叠层块及第三半导体叠层块与第一基板分离，且第一基板保留有第二半导体叠层块；实行第一接合步骤使第三半导体叠层块位于永久基板的第一表面上；以及实施第二接合步骤接合第一半导体叠层块或第二半导体叠层块于第二表面上；被接合至永久基板的第一半导体叠层块或第二半导体叠层块与第三半导体叠层块具有光学特征值的差异或电性特征值的差异。

本申请是中国发明专利申请(申请号：201380077836.5，申请日：2013年06月26日，发明名称：发光元件及其制造方法)的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种发光元件及其制造方法；特别是涉及一种具多个半导体叠层块的发光元件及其制造方法。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)具有耗能低、低发热、操作寿命长、防震、体积小、以及反应速度快等良好特性，因此适用于各种照明及显示用途。随着其应用技术的发展，多元(multi-cell)发光二极管的元件，即由多个发光二极管组成的元件，例如阵列式发光二极管的元件，在市场上的应用渐为广泛。例如，光学显示装置、交通号志、以及照明装置等，其中高压发光二极管(High Voltage LED，HV LED)的照明元件即为一例。

现有的阵列式发光二极管元件1，如图7A与图7B所示，包含一基板10、多个发光二极管单元12以二维方式排列于基板10上，每一个发光二极管单元12包含一发光叠层，包含一p型半导体层121、一发光层122、以及一n型半导体层123。这些发光二极管单元12对基板10上的发光叠层施以蚀刻制作工艺，形成沟槽14而分割出此多个发光二极管单元12。由于基板10不导电，因此于多个发光二极管单元12间形成的沟槽14可使各发光二极管单元12彼此绝缘，另外再通过部分蚀刻发光二极管单元12至n型半导体层123，分别于n型半导体层123的暴露区域以及p型半导体层121上形成一第一电极18以及一第二电极16。再通过导电配线结构19选择性连接多个发光二极管单元12的第一电极18及第二电极16，使得多个发光二极管单元12之间形成串联或并联的电路。例如，若形成串联的电路，即为直流的高压发光二极管(High Voltage LED，HV LED)。

然而，此种制作工艺所形成的元件，常常会因各个发光二极管单元12间彼此互相吸收所发出的光，而造成元件整体亮度降低。此外，此种制作工艺所形成的元件，其多个发光二极管单元12对同一基板的一区域的发光叠层施以蚀刻制作工艺，以形成上述沟槽14而分割出多个发光二极管单元，故元件与元件间可能因形成自基板不同区域，而有元件间在光学特性上或电性上均匀性不佳的问题。

发明内容

本发明公开的目的在于提供一种发光元件的制造方法，包括：提供一第一基板；提供一半导体叠层于上述第一基板上，其中上述半导体叠层包括一第一电性半导体层、一发光层位于上述第一电性半导体层之上、以及一第二电性半导体层位于上述发光层之上，且上述半导体叠层经图形化而形成彼此分隔的多个半导体叠层块，其中上述多个半导体叠层块包括一第一半导体叠层块、一第二半导体叠层块及一第三半导体叠层块；提供一永久基板，包含一第一表面及一第二表面；实行一分离步骤将该第一半导体叠层块及该第三半导体叠层块与该第一基板分离，且该第一基板保留有该第二半导体叠层块；实行一第一接合步骤使该第三半导体叠层块位于该永久基板的该第一表面上；以及实施一第二接合步骤接合上述第一半导体叠层块或上述第二半导体叠层块于上述第二表面上；其中，被接合至该永久基板的该第一半导体叠层块或该第二半导体叠层块与该第三半导体叠层块具有一光学特征值的差异或一电性特征值的差异。

附图说明

图1所示为本发明发光元件的制造方法的一实施例所使用的一基板的上视图；