[发明专利]太阳能芯片的制备方法及太阳能芯片

权利要求书

1.一种太阳能芯片的制备方法，其特征在于，包括：

提供一基底，在所述基底上沉积阻挡层；

在所述阻挡层上沉积第一钼膜层作为第一背电极层；在所述第一背电极层上沉积钼钠膜层作为第二背电极层；

在所述第二背电极层上沉积第二钼膜层作为界面层；

其中，在沉积所述第一背电极层和第二背电极层时通入目标流量的氧气与氩气以形成背电极层，所述背电极层包括第一背电极层和第二背电极层。

2.根据权利要求1所述的太阳能芯片的制备方法，其特征在于，在沉积所述第一背电极层和第二背电极层时通入目标流量的氧气与氩气以形成背电极层的步骤进一步包括通入目标流量的氧气与氩气使所述第一钼膜层或者所述钼钠膜层中的钼与氧气发生反应生成氧化物层。

3.根据权利要求1所述的太阳能芯片的制备方法，其特征在于，所述目标流量的氧气与氩气的比例为大于等于0.1且小于等于0.2。

4.根据权利要求1所述的太阳能芯片的制备方法，其特征在于，所述目标流量的氧气与氩气的比例，是根据需要的所述背电极层的电阻率或者电导率来选择，并且氧气与氩气的比例的增加与所述背电极层的电阻率成正比，氧气与氩气的比例的增加与所述背电极层的电导率成反比。

5.根据权利要求1所述的太阳能芯片的制备方法，其特征在于，所述钼钠层是由钼钠靶溅射形成的，所述钼钠靶为掺杂1％-12％的钠的钼靶。

6.根据权利要求5所述的太阳能芯片的制备方法，其特征在于，所述第二钼膜层是由钼靶溅射形成的。

7.一种太阳能芯片，其特征在于，所述太阳能芯片包括基底，设置在所述基底上的阻挡层及设置在所述阻挡层上的背电极层，其中，所述背电极层包括层叠设置在所述阻挡层上的第一钼膜层、钼钠膜层、氧化物层和第二钼膜层。

8.根据权利要求7所述的太阳能芯片，其特征在于，所述钼钠膜层的厚度为150纳米-300纳米；所述第二钼膜层的厚度为10纳米-20纳米。

9.根据权利要求7所述的太阳能芯片，其特征在于，所述太阳能芯片还包括吸收层、缓冲层、窗口层和正电极层，所述吸收层设置在所述第二钼膜层上，所述缓冲层、窗口层和正电极层层叠设置在所述缓冲层上。

10.根据权利要求7所述的太阳能芯片，其特征在于，所述氧化物中的含氧量与所述太阳能芯片的膜层电阻率成正比，与太阳能芯片的膜层电导率成反比。