[发明专利]太阳能芯片的制备方法及太阳能芯片

说明书

本发明涉及太阳能电池制备技术领域，公开了一种太阳能芯片的制备方法，包括提供一基底，在所述基底上沉积阻挡层；在所述阻挡层上沉积第一钼膜层作为第一背电极层；在所述第一背电极层上沉积钼钠膜层作为第二背电极层；在所述第二背电极层上沉积第二钼膜层作为界面层；其中，在沉积所述第一背电极层和第二背电极层时通入目标流量的氧气以形成背电极层。本发明还公开了一种太阳能电池，其通过控制目标氧气比氩气比例增加了太阳能电池的电导率，提高了太阳能电池的各项性能。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能芯片的制备方法及太阳能芯片。

背景技术

CIGS薄膜太阳能电池是以CuInSe2(CIS)半导体薄膜材料为吸收层的薄膜太阳能电池，用金属镓(Ga)取代部分铟(In)所以称为CIGS薄膜太阳能电池。CIGS薄膜太阳能电池具有相对效率较高、抗辐射、弱光性好、重量轻便可作为移动能源使用等优点。

现有CIGS太阳能电池技术中，通常会在CIGS膜层中掺杂适量的Na，Na的掺入，可以钝化CIGS和CdS界面的缺陷，从而增加载流子密度，使得开路电压VOC提高，使得电池性能提高30％-50％。

目前Na掺杂CIGS方式一般采用Na的预制层，通常将Na掺杂于钼靶材中作为Na源，通过磁控溅射的方法溅射至柔性基底上，随后在钼钠层上溅射一层纯钼层，Na通过纯钼层扩散至CIGS吸收层，Na扩散至CIGS吸收层的含量通常通过Na源的浓度及钼层的阻挡来控制。发明人发现适量的Na可以促进CIGS晶粒的增长，致密性较好，减少CIGS的缺陷，减少了电子空穴对复合，而过量的Na则会造成晶粒减小且缺陷较多，致密性变差，不利于CIGS薄膜的生长，电池效率较低，同时若掺Na太多，会导致Na过多替代In，形成缺陷符合中心，导致薄膜性能降低。

故，如何较好的控制Na扩散至吸收层的含量，优化太阳能电池性能，是目前亟待解决的问题。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种太阳能芯片的制备方法及太阳能电池，有效解决了太阳能电池性能低的问题。

本发明提供了一种太阳能芯片的制备方法，包括：

提供一基底，在所述基底上沉积阻挡层；

在所述阻挡层上沉积第一钼膜层作为第一背电极层；在所述第一背电极层上沉积钼钠膜层作为第二背电极层；

在所述第二背电极层上沉积第二钼膜层作为界面层；

其中，在沉积所述第一背电极层和第二背电极层时通入目标流量的氧气以形成背电极层。

本发明还提供了一种太阳能芯片，所述太阳能芯片包括基底，设置在所述基底上的阻挡层及设置在所述阻挡层上的背电极层，其中，所述背电极层包括层叠设置在所述阻挡层上的第一钼膜层、钼钠膜层、氧化物层和第二钼膜层。

本发明的太阳能芯片的制备方法其通过控制目标流量的氧气增加了太阳能电池的电导率，提高了太阳能电池的各项性能。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。

图1为本发明提供的太阳能电池的结构示意图；

图2为图1所示的太阳能电池的背电极层的结构示意图；

图3为制造图1所示的太阳能电池的制备方法步骤图；