[发明专利]被加工物的加工方法在审
申请号: | 201910499974.1 | 申请日: | 2019-06-11 |
公开(公告)号: | CN110620038A | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
发明(设计)人: | 松冈祐哉 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/304;H01L21/78 |
代理公司: | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 被加工物 改质层 背面 分割预定线 激光光线 靠背面 透过性 龟裂 芯片 照射 高度位置 芯片侧面 磨削屑 分割 附着 磨削 下端 加工 | ||
1.一种被加工物的加工方法,沿着分割预定线将被加工物分割成各个芯片,该被加工物在正面上的由呈格子状形成的多条该分割预定线划分的各区域内形成有功能元件,其中,
该被加工物的加工方法具有如下的步骤:
第一改质层形成步骤,从该被加工物的背面侧沿着分割预定线照射对于该被加工物具有透过性的波长的激光光线,形成第一改质层,该第一改质层未向上下产生龟裂,该第一改质层的下端位于比相当于芯片的完工厚度的高度位置略微靠背面侧的位置;
第二改质层形成步骤,从该被加工物的背面侧沿着分割预定线照射对于该被加工物具有透过性的波长的激光光线,在比通过该第一改质层形成步骤而形成的该第一改质层靠背面侧的位置形成第二改质层,该第二改质层向上下产生龟裂;以及
背面磨削步骤,对形成有该第一改质层和该第二改质层的被加工物的背面进行磨削,将被加工物形成至芯片的完工厚度,并且以存在龟裂的该第二改质层为起点将被加工物分割成各个芯片,
在背面磨削步骤中,该第一改质层残存至背面磨削快要结束时为止,能够防止包含磨削屑的磨削水浸入至芯片之间的间隙。
2.根据权利要求1所述的被加工物的加工方法,其中,
在所述背面磨削步骤中,通过产生于被加工物的磨削应力,利用通过所述第二改质层形成步骤而按照向上下产生龟裂的方式形成的所述第二改质层使被加工物断裂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910499974.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造