[发明专利]被加工物的加工方法

说明书

提供被加工物的加工方法，在以被加工物内部的改质层为起点而分割被加工物的加工方法中使磨削屑不附着于芯片侧面。该方法包含如下步骤：从背面(Wb)侧沿着分割预定线(S)照射对于被加工物(W)具有透过性的激光光线(LB1)，形成第一改质层(M1)，该第一改质层未向上下产生龟裂，该第一改质层的下端位于比相当于芯片的完工厚度的高度位置(Z1)略微靠背面侧的位置；从背面侧沿着分割预定线照射对于被加工物具有透过性的激光光线(LB2)，在比第一改质层靠背面侧的位置形成向上下产生龟裂(Mb、Ma)的第二改质层(M2)；对被加工物的背面进行磨削而将被加工物形成至芯片的完工厚度(H1)，并且以第二改质层为起点将被加工物分割成芯片(C)。

技术领域

本发明涉及沿着分割预定线将被加工物分割成各个芯片的加工方法。

背景技术

在半导体器件制造工艺中，在大致圆板形状的半导体被加工物的正面上的由呈格子状排列的被称为间隔道的多条分割预定线划分出多个区域，在该划分的各区域中形成IC、LSI等电路(功能元件)。然后，通过沿着分割预定线将半导体被加工物切断而对形成有电路的区域进行分割，从而制造出各个半导体芯片。

作为沿着分割预定线将该半导体被加工物切断的方法，已知包含激光加工的方法(例如，参照专利文献1)，该激光加工使用对于被加工物具有透过性的波长的脉冲激光光线，将聚光点会聚在被加工物的要分割的区域的内部而照射脉冲激光光线。

使用该激光加工的被加工物的分割方法是将聚光点从被加工物的一个面侧会聚在内部，照射对于被加工物具有透过性的红外光区域的波长的脉冲激光光线，在被加工物的内部沿着分割预定线连续地形成改质层，通过沿着因形成该改质层而强度降低的分割预定线对被加工物背面进行磨削而在被加工物上产生的应力，使被加工物断裂而进行分割。

专利文献1：日本特许4733934号公报

但是，在专利文献1所记载的分割方法中，在分割后的芯片之间产生间隙，因此当在芯片分割后将被加工物磨削至完工厚度时，包含磨削屑的磨削水(磨削时用于对磨削磨具与被加工物的接触部位进行冷却、清洗的水)浸入至芯片之间的间隙中，磨削屑附着于芯片侧面。附着于芯片侧面的磨削屑即使利用磨削装置的清洗机构进行清洗也非常难去除。

发明内容

由此，本发明的目的在于提供被加工物的加工方法，在沿着分割预定线在被加工物的内部连续地形成改质层并以该改质层为起点将被加工物分割成芯片的加工方法中，使磨削屑不附着于芯片侧面。

根据本发明，提供被加工物的加工方法，沿着分割预定线将被加工物分割成各个芯片，该被加工物在正面上的由呈格子状形成的多条该分割预定线划分的各区域内形成有功能元件，其中，该被加工物的加工方法具有如下的步骤：第一改质层形成步骤，从该被加工物的背面侧沿着分割预定线照射对于该被加工物具有透过性的波长的激光光线，形成第一改质层，该第一改质层未向上下产生龟裂，该第一改质层的下端位于比相当于芯片的完工厚度的高度位置略微靠背面侧的位置；第二改质层形成步骤，从该被加工物的背面侧沿着分割预定线照射对于该被加工物具有透过性的波长的激光光线，在比通过该第一改质层形成步骤而形成的该第一改质层靠背面侧的位置形成第二改质层，该第二改质层向上下产生龟裂；以及背面磨削步骤，对形成有该第一改质层和该第二改质层的被加工物的背面进行磨削，将被加工物形成至芯片的完工厚度，并且以存在龟裂的该第二改质层为起点将被加工物分割成各个芯片，在背面磨削步骤中，该第一改质层残存至背面磨削快要结束时为止，能够防止包含磨削屑的磨削水浸入至芯片之间的间隙。

优选在所述背面磨削步骤中，通过产生于被加工物的磨削应力，利用通过所述第二改质层形成步骤而按照向上下产生龟裂的方式形成的所述第二改质层使被加工物断裂。

根据本发明，在背面磨削步骤中，第一改质层残存至背面磨削快要结束时为止，能够防止包含磨削屑的磨削水浸入至通过分割而形成的芯片之间的间隙中。