[发明专利]耦合型场效应晶体管在审
| 申请号： | 201910500088.6 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111668295A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 井野户秀和;高田修;寺田直纯;北原宏良 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 耦合 场效应 晶体管 | ||
1.一种耦合型场效应晶体管，具备：
第1导电型的第1半导体层；
元件分离绝缘体，设置于上述第1半导体层的上层部分，划分出有源区域；
第2半导体层，设置于上述有源区域内的上述第1半导体层上，为第2导电型，且第1方向的端部从上述元件分离绝缘体分离；
源极层，设置于上述第2半导体层上，为上述第2导电型，杂质浓度比上述第2半导体层的杂质浓度高；
漏极层，设置于上述第2半导体层上，在与上述第1方向交叉的第2方向上从上述源极层分离，为上述第2导电型，杂质浓度比上述第2半导体层的杂质浓度高；以及
栅极层，设置于上述第2半导体层上，配置于上述源极层与上述漏极层之间，从上述源极层及上述漏极层分离，为上述第1导电型。
2.如权利要求1所述的耦合型场效应晶体管，其中，
上述栅极层的上述第1方向上的端部与上述第1半导体层接触。
3.如权利要求1或2所述的耦合型场效应晶体管，其中，
上述源极层、上述漏极层及上述栅极层在上述第1方向上延伸。
4.如权利要求1或2所述的耦合型场效应晶体管，其中，
在上述源极层、上述漏极层及上述栅极层的上表面，分别形成有自对准硅化物层。
5.如权利要求1或2所述的耦合型场效应晶体管，其中，还具备：
第3半导体层，配置于上述第2半导体层上且在上述源极层与上述栅极层之间，为上述第1导电型，杂质浓度比上述栅极层的杂质浓度低；及
第4半导体层，配置于上述第2半导体层上且在上述漏极层与上述栅极层之间，为上述第1导电型，杂质浓度比上述栅极层的杂质浓度低。
6.如权利要求5所述的耦合型场效应晶体管，其中，
上述第3半导体层的下表面位于比上述栅极层的下表面靠上方的位置，
上述第4半导体层的下表面位于比上述栅极层的下表面靠上方的位置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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