[发明专利]耦合型场效应晶体管

说明书

实施方式提供的能够降低噪声的耦合型场效应晶体管具备：第1导电型的第1半导体层；元件分离绝缘体，设置于第1半导体层的上层部分，划分出有源区域；第2半导体层，设置于有源区域内的第1半导体层上，为第2导电型，且第1方向的端部从元件分离绝缘体分离；源极层，设置于第2半导体层上，为第2导电型，杂质浓度比第2半导体层的杂质浓度高；漏极层，设置于第2半导体层上，在与第1方向交叉的第2方向上从源极层分离，为第2导电型，杂质浓度比第2半导体层的杂质浓度高；以及栅极层，设置于第2半导体层上，配置于源极层与漏极层之间，从源极层及漏极层分离，为第1导电型。

关联申请

本申请享受以日本专利申请2019－42902号(申请日：2019年3月8日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部的内容。

技术领域

实施方式涉及耦合型场效应晶体管。

背景技术

以往，开发出了耦合型场效应晶体管(JFET)。JFET例如作为将传感器的输出电压变换为恒定电流的元件使用。伴随着传感器的高灵敏度化，希望降低JFET的噪声。

发明内容

实施方式提供能够降低噪声的耦合型场效应晶体管。

实施方式的耦合型场效应晶体管，具备：第1导电型的第1半导体层；元件分离绝缘体，设置于上述第1半导体层的上层部分，划分出有源区域；第2半导体层，设置于上述有源区域内的上述第1半导体层上，为第2导电型，且第1方向的端部从上述元件分离绝缘体分离；源极层，设置于上述第2半导体层上，为上述第2导电型，杂质浓度比上述第2半导体层的杂质浓度高；漏极层，设置于上述第2半导体层上，在与上述第1方向交叉的第2方向上从上述源极层分离，为上述第2导电型，杂质浓度比上述第2半导体层的杂质浓度高；以及栅极层，设置于上述第2半导体层上，配置于上述源极层与上述漏极层之间，从上述源极层及上述漏极层分离，为上述第1导电型。

附图说明

图1是表示第1实施方式的耦合型场效应晶体管的俯视图。

图2A是图1的A－A’线的截面图，图2B是图1的B－B’线的截面图。

图3是图1的C－C’线的截面图。

图4是表示第1实施方式的耦合型场效应晶体管的截面图。

具体实施方式

＜第1实施方式＞

以下，对第1实施方式进行说明。

图1是表示本实施方式的耦合型场效应晶体管的俯视图。

图2A是图1的A－A’线的截面图，图2B是图1的B－B’线的截面图。

图3是图1的C－C’线的截面图。

如图1～图3所示那样，在本实施方式的耦合型场效应晶体管(JFET)1中，设置有导电型为p型的半导体基板10。半导体基板10通过例如硅形成。关于后述的各层，也是同样的。

在半导体基板10上设置有导电型为n型的n阱11。以下，在本说明书中，将从半导体基板10朝向n阱11的方向称为“上”，将其相反方向称为“下”。将“上”及“下”总称都称为“垂直方向V”。所谓的“从上方观察”，意味着基于从n阱11朝向半导体基板10的方向的视线的观察。在n阱11的上层部分，设置有STI(Shallow Trench Isolation：元件分离绝缘体)12。STI12由例如硅氧化物等的绝缘材料构成。STI12包围n阱11的上层部分的一部分。将n阱11的上层部分中的、被STI12所包围的部分称为有源区域13。有源区域13通过STI12从周围划分出来。从上方观察时，有源区域13的形状是矩形。