[发明专利]次同步谐振的抑制方法、装置、存储介质及处理器

权利要求书

1.一种次同步谐振的抑制方法，其特征在于，包括：

确定附加励磁阻尼控制器的第一控制参数和机端次同步阻尼控制器的第二控制参数，其中，所述第一控制参数包括所述附加励磁阻尼控制器每个控制回路的增益和相移时间常数，所述第二控制参数包括所述机端次同步阻尼控制器每个控制回路的增益、相移时间常数和相位变化参数；

根据所述第一控制参数和所述第二控制参数，抑制所述附加励磁阻尼控制器与所述机端次同步阻尼控制器所处电路的次同步谐振；

所述方法还包括：确定机端次同步阻尼控制器的第三控制参数，其中，所述第三控制参数包括所述机端次同步阻尼控制器的最低的额定容量；

确定机端次同步阻尼控制器的第三控制参数包括：依据闭环仿真模型验证所述第一控制参数和所述第二控制参数对应的闭环次同步谐振的性能；在闭环次同步谐振的性能处于完全稳定的情况下，确定至少一个额定容量；根据所述至少一个额定容量，确定最低的额定容量作为机端次同步阻尼控制器的第三控制参数；在确定机端次同步阻尼控制器的第三控制参数之后，根据所述第三控制参数对应的所述第一控制参数和所述第二控制参数，抑制所述附加励磁阻尼控制器与所述机端次同步阻尼控制器所处电路的次同步谐振。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定附加励磁阻尼控制器的第一控制参数和机端次同步阻尼控制器的第二控制参数包括：

建立所述附加励磁阻尼控制器与所述机端次同步阻尼控制器对应的多模型约束非线性优化模型，其中，所述多模型约束非线性优化模型用于确定所述第一控制参数和所述第二控制参数；

利用所述多模型约束非线性优化模型确定所述第一控制参数和所述第二控制参数。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，建立所述附加励磁阻尼控制器与所述机端次同步阻尼控制器对应的多模型约束非线性优化模型包括：

确定所述附加励磁阻尼控制器和所述机端次同步阻尼控制器的运行场景集和评估扰动集；

基于所述附加励磁阻尼控制器和所述机端次同步阻尼控制器的运行场景集和评估扰动集建立所述多模型约束非线性优化模型。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，通过以下方式建立所述附加励磁阻尼控制器与所述机端次同步阻尼控制器对应的多模型约束非线性优化模型：

minf_EOSS(λ_ij)

λ_j＝Eig{A_j+B_jC_j(α)}，j∈EOSS

其中，f_EOSS是整体运行场景组中衡量控制性能的目标函数，λ_ij是第i个扭振模式和第j个操作场景下的特征值，λ_j为第j个操作场景下的特征值，EOSS为整体运动场景集或评估扰动集，Eig{}是包括矩阵的特征值的计算，A_j，B_j，C_j是线性闭环系统模型的系数矩阵，C_j(α)是控制参数向量α的函数，s.t.为约束条件，g₁(α)＝0为等式约束，g₂(α)≤0为不等式约束，下标i，j分别表示整体运行场景组中的第i个扭振模式和第j个操作场景；

或ΔX_j＝[A_j+B_jC_j(α)]ΔX_j

其中，ΔX_j表示状态，ΔU_j表示控制向量。