[发明专利]多孔二氧化硅薄膜及其制备方法、以及显示面板

说明书

本发明公开一种多孔二氧化硅薄膜及其制备方法、以及显示面板。其中，所述多孔二氧化硅薄膜的制备方法包括以下步骤：将水和有机醇溶剂混合，得到混合溶剂；向混合溶剂中加入硅前驱体和表面活性剂，搅拌分散得到溶胶液，并将溶胶液陈化得到凝胶液；将凝胶液分散至衬底表面，干燥处理得到多孔二氧化硅薄膜。本发明的技术方案能够降低钝化层的介电常数，减小其寄生电容，从而减小漏电流，并且能够有效地避免信号串扰和RC电路延时等问题。

技术领域

本发明涉及显示器技术领域，特别涉及一种多孔二氧化硅薄膜及其制备方法、以及显示面板。

背景技术

目前，薄膜晶体管显示器(Thin Film Transistor,TFT-LCD)由于较低能耗、优异的画面品质及较高的生产良率等性能已逐渐占据显示领域的主导地位。TFT-LCD通常包含显示面板和背光模组，其中，显示面板包括彩膜基板和薄膜晶体管阵列基板，这些基板的相对内侧存在透明电极，且两片基板之间夹着一层液晶分子，显示面板是通过电场对液晶分子取向的控制来改变光的偏振状态，并借由偏光板实现光路的穿透和阻挡，从而实现显示目的。

制备高性能的薄膜晶体管阵列(TFT)是高品质的显示器(LCD)的基础，TFT的制备是通过在玻璃基板上沉积各层导电和功能薄膜图形，以实现对液晶的电学驱动。其中，功能薄膜包括栅绝缘层、有源层、欧姆接触层及钝化层，钝化层可以很好地阻止外界环境对内部各层产生干扰，对碱性离子、金属污染的屏蔽效果较好，并且耐湿性较好，有效地降低了背沟道电荷积累的可能性。现有的钝化层一般采用等离子化学沉积法(PECVD)制备的氮化硅材料，以具备较高的绝缘性能与抵抗外界环境的能力，但是由于氮化硅具有较大的介电常数，则容易产生较大的寄生电容，引起背沟道效应，增大漏电流。同时，较大的寄生电容会对TFT控制产生重要影响，比如容易引起信号串扰和RC电路延时等问题。

上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种多孔二氧化硅薄膜及其制备方法、以及显示面板，旨在降低钝化层的介电常数，使得其寄生电容较小，从而减小漏电流，并且能够有效地解决因寄生电容引起的信号串扰和RC电路延时等显示问题。

为实现上述目的，本发明提出的多孔二氧化硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：

将水和有机醇溶剂混合，得到混合溶剂；

向混合溶剂中加入硅前驱体和表面活性剂，搅拌分散得到溶胶液，并将溶胶液陈化得到凝胶液；

将凝胶液分散至衬底表面，干燥处理得到多孔二氧化硅薄膜。

在本申请的一实施例中，所述有机醇溶剂选自乙醇、异丙醇、丁醇中的至少一种；和/或，所述硅前驱体选自正硅酸乙酯；和/或，所述表面活性剂选自十六烷基三甲基溴化铵或十六烷基三甲基氯化铵。

在本申请的一实施例中，所述有机醇溶剂和所述水的体积比为0.5:1至0.8:1；和/或，所述硅前驱体的浓度为0.10mol/L-0.25mol/L；和/或，所述表面活性剂的浓度为0.01mol/L-0.03mol/L。

在本申请的一实施例中，所述“向混合溶剂中加入硅前驱体和表面活性剂，搅拌分散得到溶胶液”的步骤包括：向混合溶剂中加入硅前驱体，并于20℃-40℃温度下搅拌10min-15min，得到混合液；向混合液中加入表面活性剂，并于20℃-40℃温度下搅拌5min-15min，得到溶胶液。

在本申请的一实施例中，“将水和有机醇溶剂混合，得到混合溶剂”步骤包括：将水和有机醇溶剂混合，并于20℃-40℃温度下搅拌5min-15min，得到混合溶剂；和/或，所述“将溶胶液陈化得到凝胶液”步骤包括：将溶胶液陈化1h-3h，得到凝胶液；和/或，所述“将凝胶液分散至衬底表面，干燥处理得到多孔二氧化硅薄膜”步骤包括：采用悬涂法或喷涂法将凝胶液分散至衬底表面，干燥处理得到多孔二氧化硅薄膜。