[发明专利]一种移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路

权利要求书

1.一种移位寄存器单元，其特征在于，包括：

输入子电路，分别与输入信号端和上拉节点耦接，用于在所述输入信号端提供的输入信号的控制下，控制导通或断开所述输入信号端与所述上拉节点之间的耦接；

存储子电路，所述存储子电路的一端与所述上拉节点耦接，所述存储子电路的另一端与栅极驱动信号输出端耦接；

输出子电路，分别与所述上拉节点、所述栅极驱动信号输出端和第一时钟信号输入端耦接，用于在所述上拉节点的电位的控制下，控制导通或断开所述栅极驱动信号输出端与所述第一时钟信号输入端之间的耦接；

控制子电路，分别与所述上拉节点、栅极驱动信号输出端、第一电平信号输入端和第二时钟信号输入端耦接，用于在输入时段和输出时段，在所述第二时钟信号输入端提供的第二时钟信号的控制下，控制断开所述上拉节点与所述第一电平信号输入端之间的耦接，以及控制断开所述栅极驱动信号输出端与所述第一电平信号输入端之间的耦接。

2.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述控制子电路包括第一晶体管和第二晶体管；其中，

所述第一晶体管的栅极与所述第二时钟信号输入端耦接，所述第一晶体管的第一极与所述上拉节点耦接，所述第一晶体管的第二极与所述第一电平信号输入端耦接；

所述第二晶体管的栅极与所述第二时钟信号输入端耦接，所述第二晶体管的第一极与所述栅极驱动信号输出端耦接，所述第二晶体管的第二极与所述第一电平信号输入端耦接。

3.根据权利要求2所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述移位寄存器单元形成在基底上，所述第一晶体管的栅极层和所述第一晶体管的有源层在垂直于所述基底的方向上的重叠区域形成为第一沟道区域；所述第二晶体管的栅极层和所述第二晶体管的有源层在垂直于基底的方向上的重叠区域形成为第二沟道区域；所述第一沟道区域的面积和所述第二沟道区域的面积均大于阈值。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述移位寄存器单元还包括：

第一帧前降噪子电路，分别与所述上拉节点、所述第一电平信号输入端和帧前降噪控制端耦接，用于在所述帧前降噪控制端提供的帧前降噪控制信号的控制下，控制导通或断开所述上拉节点与所述第一电平信号输入端之间的耦接；

第二帧前降噪子电路，分别与所述栅极驱动信号输出端、所述第一电平信号输入端和所述帧前降噪控制端耦接，用于在所述帧前降噪控制信号的控制下，控制导通或断开所述栅极驱动信号输出端与所述第一电平信号输入端之间的耦接。

5.根据权利要求4所述的移位寄存器单元，其特征在于，

所述第一帧前降噪子电路包括第三晶体管，所述第三晶体管的栅极与所述帧前降噪控制端耦接，所述第三晶体管的第一极与所述上拉节点耦接，所述第三晶体管的第二极与所述第一电平信号输入端耦接；

所述第二帧前降噪子电路包括第四晶体管，所述第四晶体管的栅极与所述帧前降噪控制端耦接，所述第四晶体管的第一极与所述栅极驱动信号输出端耦接，所述第四晶体管的第二极与所述第一电平信号输入端耦接。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述移位寄存器单元还包括：

第一复位子电路，分别与所述上拉节点、所述第一电平信号输入端和复位控制端耦接，用于在所述复位控制端提供的复位控制信号的控制下，控制导通或断开所述上拉节点与所述第一电平信号输入端之间的耦接；

第二复位子电路，分别与所述栅极驱动信号输出端、所述第一电平信号输入端和所述复位控制端耦接，用于在所述复位控制信号的控制下，控制导通或断开所述栅极驱动信号输出端与所述第一电平信号输入端之间的耦接。