[发明专利]一种移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路

说明书

本发明公开一种移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路，涉及显示技术领域，为解决现有的移位寄存器单元中包括的晶体管数量较多，电路结构复杂，导致栅极驱动电路在阵列基板上占用的面积较大，不利于显示产品实现窄边框化的问题。所述移位寄存器单元包括：输入子电路、存储子电路、输出子电路和控制子电路，分别与控制子电路上拉节点、栅极驱动信号输出端、第一电平信号输入端和第二时钟信号输入端耦接，用于在输入时段和输出时段，在第二时钟信号的控制下，控制断开上拉节点与第一电平信号输入端之间的耦接，以及控制断开栅极驱动信号输出端与第一电平信号输入端之间的耦接。本发明提供的移位寄存器单元用于提供栅极驱动信号。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路。

背景技术

阵列基板行驱动技术(英文：Gate Driver on Array，以下简称：GOA)是直接将栅极驱动电路制作在阵列基板上，来替代由外接硅片制作的驱动芯片的一种工艺技术。目前，栅极驱动电路一般包括级联的多个移位寄存器单元，各移位寄存器单元与显示面板中的栅线一一对应连接，用于逐行驱动显示面板实现显示功能。但是现有的移位寄存器单元中包括的晶体管数量较多，电路结构复杂，导致栅极驱动电路在阵列基板上占用的面积较大，不利于显示产品的窄边框化发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路，用于解决现有的移位寄存器单元中包括的晶体管数量较多，电路结构复杂，导致栅极驱动电路在阵列基板上占用的面积较大，不利于显示产品实现窄边框化的问题。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明的第一方面提供一种移位寄存器单元，包括：

输入子电路，分别与输入信号端和上拉节点耦接，用于在所述输入信号端提供的输入信号的控制下，控制导通或断开所述输入信号端与所述上拉节点之间的耦接；

存储子电路，所述存储子电路的一端与所述上拉节点耦接，所述存储子电路的另一端与栅极驱动信号输出端耦接；

输出子电路，分别与所述上拉节点、所述栅极驱动信号输出端和第一时钟信号输入端耦接，用于在所述上拉节点的电位的控制下，控制导通或断开所述栅极驱动信号输出端与所述第一时钟信号输入端之间的耦接；

控制子电路，分别与所述上拉节点、栅极驱动信号输出端、第一电平信号输入端和第二时钟信号输入端耦接，用于在输入时段和输出时段，在所述第二时钟信号输入端提供的第二时钟信号的控制下，控制断开所述上拉节点与所述第一电平信号输入端之间的耦接，以及控制断开所述栅极驱动信号输出端与所述第一电平信号输入端之间的耦接。

可选的，所述控制子电路包括第一晶体管和第二晶体管；其中，

所述第一晶体管的栅极与所述第二时钟信号输入端耦接，所述第一晶体管的第一极与所述上拉节点耦接，所述第一晶体管的第二极与所述第一电平信号输入端耦接；

所述第二晶体管的栅极与所述第二时钟信号输入端耦接，所述第二晶体管的第一极与所述栅极驱动信号输出端耦接，所述第二晶体管的第二极与所述第一电平信号输入端耦接。

可选的，所述移位寄存器单元形成在基底上，所述第一晶体管的栅极层和所述第一晶体管的有源层在垂直于所述基底的方向上的重叠区域形成为第一沟道区域；所述第二晶体管的栅极层和所述第二晶体管的有源层在垂直于基底的方向上的重叠区域形成为第二沟道区域；所述第一沟道区域的面积和所述第二沟道区域的面积均大于阈值。

可选的，所述移位寄存器单元还包括：

第一帧前降噪子电路，分别与所述上拉节点、所述第一电平信号输入端和帧前降噪控制端耦接，用于在所述帧前降噪控制端提供的帧前降噪控制信号的控制下，控制导通或断开所述上拉节点与所述第一电平信号输入端之间的耦接；