[发明专利]半导体工艺组件及半导体加工设备

权利要求书

1.一种半导体工艺组件，包括压环，所述压环用于在基座位于工艺位置时压住晶片上表面的边缘区域，其特征在于，还包括：

进气结构，其沿所述压环的周向设置在所述压环的下方，在所述基座位于所述工艺位置时，所述进气结构与所述压环之间存在与所述基座的上方空间连通的扩散通道；并且，所述进气结构中设置有多个进气通道，多个所述进气通道的出气端均与所述扩散通道连通，且沿所述压环的周向均匀分布；

供气装置，用于向各个所述进气通道中输送工艺气体，所述工艺气体流出所述进气通道后，通过所述扩散通道进入所述基座的上方空间。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺组件，其特征在于，还包括内衬，所述内衬具有自其下端向内侧弯曲，并向上延伸的翻边结构，所述翻边结构用于在所述基座下降时支撑所述压环；

所述进气结构形成在所述翻边结构中，在所述基座位于所述工艺位置时，所述翻边结构与所述压环之间形成所述扩散通道；并且，在所述翻边结构中设置有所述进气通道。

3.根据权利要求1所述的半导体工艺组件，其特征在于，还包括内衬，所述内衬具有自其下端向内侧弯曲，并向上延伸的翻边结构，所述翻边结构用于在所述基座下降时支撑所述压环；

所述进气结构设置于所述翻边结构的侧壁上，与所述翻边结构的侧壁固定连接。

4.根据权利要求1所述的半导体工艺组件，其特征在于，还包括内衬，所述内衬具有自其下端向内侧弯曲，并向上延伸的翻边结构，所述翻边结构用于在所述基座下降时支撑所述压环；

所述进气结构与所述压环的下表面固定连接；或者，所述进气结构与所述基座的侧壁固定连接；

所述进气结构、所述翻边结构及所述压环配合形成所述扩散通道。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体工艺组件，其特征在于，所述供气装置包括进气管路，其中，

所述进气管路的出气端与各个所述进气通道的进气端连接；所述进气管路的进气端延伸至反应腔室的外部，并与所述工艺气体的气源连接。

6.根据权利要求5所述的半导体工艺组件，其特征在于，所述进气管路贯穿所述反应腔室的位于所述基座下方的侧壁，并延伸至所述反应腔室的外部。

7.根据权利要求4所述的半导体工艺组件，其特征在于，所述供气装置包括进气管路，其中，

所述进气管路的出气端与各个所述进气通道的进气端连接；所述进气管路的进气端延伸至反应腔室的外部，并与所述工艺气体的气源连接；并且，所述进气管路为软质管路，以在所述进气结构升降时与所述进气通道保持连接。

8.根据权利要求1-4任意一项所述的半导体工艺组件，其特征在于，所述半导体工艺组件还包括匀流结构，所述匀流结构与所述进气结构固定连接，且在所述匀流结构中沿所述压环的周向设置有匀流空间，所述匀流空间与各个所述进气通道连通；所述供气装置通过所述匀流结构的所述匀流空间向各个所述进气通道中输送所述工艺气体。

9.根据权利要求8所述的半导体工艺组件，其特征在于，所述进气结构包括：第一本体与第二本体，所述第二本体套设在所述第一本体的外围，所述第一本体、所述第二本体均与所述匀流结构连接，且所述第一本体与所述第二本体之间的环形空间形成所述进气通道。

10.根据权利要求1-4任意一项所述的半导体工艺组件，其特征在于，每个所述进气通道为沿所述压环的轴向贯通所述进气结构的直通孔。

11.一种半导体加工设备，包括反应腔室，所述反应腔室内设置有半导体工艺组件以及用于承载基片的基座，其特征在于，所述半导体工艺组件采用权利要求1-10任一项所述的半导体工艺组件。