[发明专利]半导体工艺组件及半导体加工设备

说明书

本发明提供一种半导体工艺组件及半导体加工设备，该半导体工艺组件包括压环，所述压环用于在基座位于工艺位置时压住晶片上表面的边缘区域；还包括：进气结构，其沿所述压环的周向设置在所述压环的下方，在所述基座位于所述工艺位置时，所述进气结构与所述压环之间存在与所述基座的上方空间连通的扩散通道；并且，所述进气结构中设置有多个进气通道，多个所述进气通道的出气端均与所述扩散通道连通，且沿所述压环的周向均匀分布；供气装置，用于向各个所述进气通道中输送工艺气体，所述工艺气体流出所述进气通道后，通过所述扩散通道进入所述基座的上方空间。通过本发明，解决了因达到基片表面的气体路径长短不一出现的等离子体能量不均匀的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种半导体工艺组件及半导体加工设备。

背景技术

目前，集成电路制造过程中，PVD((Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)发挥着无可替代的作用，几乎所有的半导体器件在其制造过程中都要使用PVD用于其后续金属互联。金属互联在芯片中起到为各个器件提供电子信号、微连线等作用。PVD工艺一般是在高真空腔室中进行，腔室中有基座，用于支撑其上的晶圆；晶圆被溅射的材料即靶材固定在腔室的顶部，磁控安装在靶材背面，产生磁场增强束缚电子的能力。在腔室侧壁会通入工艺气体，对靶材施加负电压，使得工艺气体电离产生等离子体，等离子撞击靶材产生靶材材料的原子或离子，而这些原子或离子沉积在晶圆上形成薄膜。

如图1所示现有技术中PVD的腔室结构的示意图，遮挡件1’搭接在内衬2’上，内衬2’搭接在转接件3’上，转接件3’安装在腔室中；基座4’用于承载基片5’，遮挡件1’随着基座4’的运动升高到相应的工艺位置，使遮挡件1’与内衬2’分离，工艺气体从腔室侧壁的进气管6’进入基座4’下方的腔室，进一步，从遮挡件1’和内衬2翻边的间隙进入靶材7’与基座4’之间的腔室，当对靶材7’施加负电压时，工艺气体产生等离子体，等离子体在靶材7’负电压的作用力下，撞击靶材7’产生原子或离子，这些原子或离子最终沉积在基片5’上形成薄膜。

很显然，由于工艺气体是通过腔室侧壁的进气管路进入腔室，使得到达基片5’表面的气体路径长短不一致，很容易导致被激发所产生的等离子体能量不均匀，沉积薄膜易产生偏心等问题。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体工艺组件及半导体加工设备，以解决因达到基片表面的气体路径长短不一出现的等离子体能量不均匀的问题。

为实现本发明的目的而提供一种半导体工艺组件，包括压环，所述压环用于在基座位于工艺位置时压住晶片上表面的边缘区域；还包括：

进气结构，其沿所述压环的周向设置在所述压环的下方，在所述基座位于所述工艺位置时，所述进气结构与所述压环之间存在与所述基座的上方空间连通的扩散通道；并且，所述进气结构中设置有多个进气通道，多个所述进气通道的出气端均与所述扩散通道连通，且沿所述压环的周向均匀分布；

供气装置，用于向各个所述进气通道中输送工艺气体，所述工艺气体流出所述进气通道后，通过所述扩散通道进入所述基座的上方空间。

优选地，还包括内衬，所述内衬具有自其下端向内侧弯曲，并向上延伸的翻边结构，所述翻边结构用于在所述基座下降时支撑所述压环；

所述进气结构形成在所述翻边结构中，在所述基座位于所述工艺位置时，所述翻边结构与所述压环之间形成所述扩散通道；并且，在所述翻边结构中设置有所述进气通道。

优选地，还包括内衬，所述内衬具有自其下端向内侧弯曲，并向上延伸的翻边结构，所述翻边结构用于在所述基座下降时支撑所述压环；

所述进气结构设置于所述翻边结构的侧壁上，与所述翻边结构的侧壁固定连接。