[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括

衬底层；

缓冲层，设于所述衬底层的一面，所述缓冲层中层叠有应力相互抵消的至少两层无机层；

标记层，设于所述缓冲层背离所述衬底层的一面；以及

薄膜晶体管层，设于所述缓冲层具有标记层的一侧。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述缓冲层中，所述无机层的层数为奇数层。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述无机层的层数为三层，包括

第一无机层，设于所述衬底层上，其材料为氮化硅；

第二无机层，设于所述第一无机层背离所述衬底层的一面上，其材料为氧化硅；以及

第三无机层，设于所述第二无机层背离所述第一无机层的一面上，其材料为氮化硅。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述无机层的层数为五层，还包括

第一无机层，设于所述衬底层上，其材料为氮化硅；

第二无机层，设于所述第一无机层背离所述衬底层的一面上，其材料为氧化硅；

第三无机层，设于所述第二无机层背离所述第一无机层的一面上，其材料为氮化硅；

第四无机层，设于所述第三无机层背离所述衬底层的一面上，其材料为氧化硅；以及

第五无机层，设于所述第四无机层背离所述第三无机层的一面上，其材料为氮化硅。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述标记层包括若干对位标记，所述对位标记环绕所述标记层的周边设置。

6.根据权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一无机层、所述第二无机层、所述第三无机层、所述第四无机层和所述第五无机层的膜层厚度相等。

7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

制作一衬底层；

制作应力相互抵消的至少两层层叠的无机层于所述衬底层上，形成缓冲层；

制作标记层于所述缓冲层背离所述衬底层的一面；以及

制作薄膜晶体管层于所述缓冲层具有标记层的一侧。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述缓冲层的制作步骤包括：

沉积氮化硅材料于所述衬底层上，形成第一无机层；

沉积氧化硅材料于所述第一无机层上，形成第二无机层；以及

沉积氮化硅材料于所述第二无机层上，形成第三无机层。

9.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述缓冲层的制作步骤还包括：

沉积氮化硅材料于所述衬底层上，形成第一无机层；

沉积氧化硅材料于所述第一无机层上，形成第二无机层；

沉积氮化硅材料于所述第二无机层上，形成第三无机层；

沉积氮化硅材料于所述第三无机层上，形成第四无机层；以及

沉积氧化硅材料于所述第四无机层上，形成第五无机层。

10.一种显示面板，其特征在于，包括根据权利要求1-6任一项所述的阵列基板。