[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法

说明书

本发明提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法。阵列基板包括层叠设置的衬底层、缓冲层、标记层和薄膜晶体管层；所述缓冲层设于所述衬底层的一面，所述缓冲层中层叠有应力相互抵消的至少两层无机层；所述标记层设于所述缓冲层背离所述衬底层的一面；所述薄膜晶体管层设于所述缓冲层具有标记层的一侧。显示面板包括所述的阵列基板。阵列基板的制作方法包括步骤：基板提供、衬底层制作、缓冲层制作和薄膜晶体管层制作。本发明所述缓冲层的两层无机层巧妙的利用了SiNx薄膜和SiO₂薄膜应力方向相反互相抵消，增加缓冲层与衬底层的粘附力，从而保证对位标记不丢失。

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法。

背景技术

随着科技的进步和时代的发展，人们对手机显示屏的要求也越来越高。当前主流的硬屏显示已不能满足市场的需求，对柔性显示屏的开发就显得尤为重要。相比于硬屏制程，柔性薄膜晶体管液晶显示屏(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)的阵列基板制程多了聚酰亚胺(PI)材料的衬底层，而在衬底层上的缓冲层目前为单层SiNx或者单层SiO₂，单层SiNx的边缘会相背离衬底层方向翘起呈现张力，单层SiO₂的边缘会相朝向衬底层方向弯折呈现压力；当只做单层SiNx或者单层SiO₂制作缓冲层时，由于薄膜应力导致SiNx或者SiO₂可能与其上方或下方连接的膜层分离导致阵列基板失效。由于在阵列基板制程中缓冲层很容易与衬底层分离，尤其是设置在缓冲层上的对位标记(Mark)也会随着缓冲层与衬底层的分离而丢失，从而造成后续曝光制程因无对位标记可识别而终止。

因此，有必要提供一种新的阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法，以克服现有技术中存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法，通过改善现有的缓冲层的结构来增加缓冲层与衬底层的粘附力，从而保留了对位标记(Mark)，可解决阵列基板制程中因缓冲层很容易与衬底层粘附力不够引起分离造成对位标记丢失的相关问题。

为了解决上述问题，本发明其中一实施例中提供一种阵列基板，包括层叠设置的衬底层、缓冲层、标记层和薄膜晶体管层。具体地讲，所述缓冲层设于所述衬底层的一面，所述缓冲层中层叠有应力相互抵消的至少两层无机层；所述标记层设于所述缓冲层背离所述衬底层的一面；所述薄膜晶体管层设于所述缓冲层具有标记层的一侧。

进一步地，在所述缓冲层中，所述无机层的层数为奇数层。

进一步地，所述无机层的层数为三层，包括第一无机层、第二无机层和第三无机层。具体地讲，所述第一无机层设于所述衬底层上，其材料为氮化硅；所述第二无机层设于所述第一无机层背离所述衬底层的一面上，其材料为氧化硅；所述第三无机层设于所述第二无机层背离所述第一无机层的一面上，其材料为氮化硅。

进一步地，所述无机层的层数为五层，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、第三无机层、第四无机层和第五无机层。具体地讲，所述第一无机层设于所述衬底层上，其材料为氮化硅；所述第二无机层设于所述第一无机层背离所述衬底层的一面上，其材料为氧化硅；所述第三无机层设于所述第二无机层背离所述第一无机层的一面上，其材料为氮化硅；所述第四无机层设于所述第三无机层背离所述衬底层的一面上，其材料为氧化硅；所述第五无机层设于所述第四无机层背离所述第三无机层的一面上，其材料为氮化硅。

进一步地，所述第一无机层、所述第二无机层、所述第三无机层、所述第四无机层和所述第五无机层的膜层厚度相等。

进一步地，所述标记层包括若干对位标记，所述对位标记环绕所述标记层的周边设置。

本发明又一实施例中提供一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

制作一衬底层；