[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

导电图案，所述导电图案位于基板上；

钝化层，所述钝化层位于所述基板上并包括部分地暴露所述导电图案的开口；以及

焊盘结构，所述焊盘结构设置在所述钝化层上以及所述钝化层的所述开口中并连接到所述导电图案，所述焊盘结构包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层填充所述钝化层的所述开口，所述第一金属层的宽度大于所述开口的宽度，所述第二金属层位于所述第一金属层上，所述第一金属层在所述第一金属层的外壁处具有第一厚度，在所述钝化层的顶表面上具有第二厚度以及在所述导电图案的顶表面上具有第三厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度，并且所述第三厚度大于所述第二厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述钝化层的厚度小于所述第三厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一金属层包括中心部分和边缘部分，所述中心部分位于所述钝化层的所述开口中和所述开口的上方，所述边缘部分位于所述钝化层上，

所述第一金属层的顶表面具有在所述边缘部分处的顶水平高度以及在所述中心部分处的底水平高度，

所述顶水平高度与所述底水平高度之间的差距小于位于所述导电图案上的所述钝化层的厚度，以及

所述第一金属层的外壁的顶端位于所述顶水平高度与所述底水平高度之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一金属层包括：

中心部分，所述中心部分位于所述钝化层的所述开口中和所述开口的上方，以及

边缘部分，所述边缘部分位于所述钝化层上，所述第一金属层的所述边缘部分具有向上凸的顶表面，并且

所述第二金属层具有与所述第一金属层的顶表面接触的非平坦的底表面以及平坦的顶表面，所述第二金属层的厚度大于所述第三厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一金属层包括：

中心部分，所述中心部分位于所述钝化层的所述开口中和所述开口的上方，以及

边缘部分，所述边缘部分位于所述钝化层上，

所述第一金属层包括金属材料，所述金属材料在所述边缘部分处的平均晶粒尺寸小于在所述中心部分处的平均晶粒尺寸。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一金属层包括第一金属材料，以及

所述第二金属层包括与所述第一金属材料不同的第二金属材料。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述焊盘结构还包括：

阻挡图案，所述阻挡图案位于所述第一金属层与所述导电图案之间；以及

晶种图案，所述晶种图案位于所述阻挡图案与所述第一金属层之间。

8.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

导电图案，所述导电图案位于基板上；

钝化层，所述钝化层位于所述基板上，所述钝化层包括部分地暴露所述导电图案的开口；以及

焊盘结构，所述焊盘结构设置在所述钝化层上以及所述钝化层的所述开口中和所述开口的上方并连接到所述导电图案，所述焊盘结构包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层填充所述钝化层的所述开口，所述第二金属层位于所述第一金属层上，所述第一金属层包括中心部分和边缘部分，所述中心部分位于所述钝化层的所述开口中和所述开口的上方，所述边缘部分位于所述钝化层上，所述第一金属层的顶表面所处的水平高度高于所述钝化层的顶表面的水平高度，并且所述第一金属层的所述边缘部分具有向上凸的顶表面。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，

所述第一金属层在所述中心部分处具有最大厚度，并且

所述最大厚度大于在所述导电图案上的所述钝化层的厚度。