[发明专利]半导体器件

说明书

公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：导电图案，所述导电图案位于基板上；钝化层，所述钝化层位于所述基板上并包括部分地暴露所述导电图案的开口；以及焊盘结构，所述焊盘结构设置在所述钝化层上以及所述钝化层的所述开口中并连接到所述导电图案。所述焊盘结构包括填充所述钝化层的所述开口且宽度大于所述开口的宽度的第一金属层和位于所述第一金属层上的第二金属层。所述第一金属层在所述第一金属层的外壁处具有第一厚度，在所述钝化层的顶表面上具有第二厚度以及在所述导电图案的顶表面上具有第三厚度。所述第二厚度大于所述第一厚度，并且所述第三厚度大于所述第二厚度。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年6月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0069195的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用的方式结合于本申请中。

技术领域

本示例实施例涉及半导体器件，更具体地，涉及包括精细焊盘结构的半导体器件。

背景技术

小型化的趋势要求半导体器件具有以精细节距布置的连接端子。半导体器件可以具有用于与其他半导体器件或印刷电路板电连接的电连接结构，例如焊球或焊料凸块。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了具有连接到外部电子器件的焊盘结构的半导体器件。

本发明构思的目的不限于上述目的，本领域技术人员根据下面的描述将清楚的理解上面没有提到的其他目的。

根据本发明构思的一些示例实施例，半导体器件可以包括：导电图案、钝化层和焊盘结构。所述导电图案可以位于基板上。所述钝化层可以位于所述基板上并包括部分地暴露所述导电图案的开口。所述焊盘结构设置在所述钝化层上以及所述钝化层的所述开口中并连接到所述导电图案。所述焊盘结构可以包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层填充所述钝化层的所述开口并具有大于所述开口的宽度的宽度，所述第二金属层位于所述第一金属层上。所述第一金属层可以在所述第一金属层的外壁处具有第一厚度，在所述钝化层的顶表面上具有第二厚度以及在所述导电图案的顶表面上具有第三厚度。所述第二厚度可以大于所述第一厚度。所述第三厚度可以大于所述第二厚度。

根据本发明构思的一些示例实施例，半导体器件可以包括导电图案、钝化层和焊盘结构。所述导电图案位于基板上。所述钝化层位于所述基板上并包括部分地暴露所述导电图案的开口。所述焊盘结构设置在所述钝化层上以及所述钝化层的所述开口中并连接到所述导电图案。所述焊盘结构可以包括填充所述钝化层的所述开口的第一金属层和位于所述第一金属层上的第二金属层。所述第一金属层可以包括中心部分和边缘部分，所述中心部分位于所述钝化层的所述开口中和所述开口的上方，所述边缘部分位于所述钝化层上。所述第一金属层的顶表面所处的水平高度可以高于所述钝化层的顶表面的水平高度。所述第一金属层的所述边缘部分可以具有向上凸的顶表面。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体器件可以包括导电图案、钝化层和焊盘结构。所述导电图案位于基板上。所述钝化层位于所述基板上并包括部分地暴露所述导电图案的开口。所述焊盘结构设置在所述钝化层上以及所述钝化层的所述开口中并连接到所述导电图案。所述焊盘结构可以包括填充所述钝化层的所述开口的第一金属层和位于所述第一金属层上的第二金属层。所述第一金属层可以包括位于所述开口中和所述开口的上方的中心部分以及位于所述钝化层上的边缘部分。所述第一金属层的顶表面所处的水平高度可以高于所述钝化层的顶表面的水平高度。所述第一金属层的所述顶表面可以具有所述边缘部分处的第一曲率以及所述中心部分处的第二曲率。所述第二曲率可以不同于所述第一曲率。

说明书和附图中包括其他示例实施例的详细描述。

附图说明

图1A例示了部分示出根据本发明构思的一些示例实施例的半导体器件的横截面视图。

图1B例示了示出图1A的部分A的放大视图。